MT29F2G16ABAEAWP: E Nand Flash Memory Chip 128MX16 EEPROM ICS

MT29F2G16ABAEAWP: Memória CI NAND Flash Micron Data Storage 128MX16 EEPROM CI de E

MÍCRON MT29F32G08CBADBWP da gestão CI do poder de NAND Flash Memory Ic Chip

• INSTANTÂNEO - NAND Memory IC 2Gbit 48-TSOP paralelo
 

•  VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
•  Para trás - compatível a VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • Apoia dispositivos de DDR3L para ser para trás compatível nas aplicações 1.5V
•  Estroboscópio bidirecional diferencial dos dados
•  arquitetura do prefetch 8n-bit
•  Terminação nominal e dinâmica do em-dado (ODT) para dados, estroboscópio, e sinais da máscara
•  Latência programável de CAS (LIDO) (CL)
•  Latência aditiva afixada programável de CAS (AL)
•  Latência programável de CAS (ESCREVA) (CWL)
•  Comprimento estourado fixo (BL) de 8 e de costeleta da explosão (porque)

• MÍCRON MT41K256M16HA-125 de NAND Flash Memory Ic Chip RDA SDRAM: E

•  Ultrabook/conversores do caderno DC/DC
•  Vcore Multiphase e soluções da RDA
•  Fanfarrão síncrono da Ponto--carga em NetworkingTelecom, e sistemas de computação
•  Sistemas a pilhas
•  Aplicações portáteis de HDMI
•  Aplicações de USB-OTG
•  Telefones celulares, telefones espertos

• Adicione as peças ao formulário do RFQ	Submeta o RFQ	Nós respondemos dentro de 24 horas
  Você confirma a ordem	Pagamento	Navio para fora sua ordem

•  Amplamente utilizado na fase
•  Concerto
•  viva na tevê
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•  3C Digitas
•  Eletrônica automotivo
•  Instrumentos de medição