KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD3154NT1G

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD3154NT1G

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Número da peça :NTZD3154NT1G
Fabricante :No semicondutor
Descrição :MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações de NTZD3154NT1G

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 540mA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 150pF @ 16V
Poder - máximo 250mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso SOT-563, SOT-666
Pacote do dispositivo do fornecedor SOT-563
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de NTZD3154NT1G

Detecção

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