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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7216DN-T1-GE3

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7216DN-T1-GE3

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Número da peça :SI7216DN-T1-GE3
Fabricante :Vishay Siliconix
Descrição :MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :TrenchFET®
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações SI7216DN-T1-GE3

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) 40V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 6A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 32 mOhm @ 5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 670pF @ 20V
Poder - máximo 20.8W
Temperatura de funcionamento -50°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso PowerPAK® 1212-8 duplo
Pacote do dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8 duplo
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SI7216DN-T1-GE3

Detecção

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