KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTHD3100CT1G

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTHD3100CT1G

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Número da peça :NTHD3100CT1G
Fabricante :No semicondutor
Descrição :MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações de NTHD3100CT1G

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N e P-canal
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 2.9A, 3.2A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 165pF @ 10V
Poder - máximo 1.1W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SMD, ligação lisa
Pacote do dispositivo do fornecedor ChipFET™
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de NTHD3100CT1G

Detecção

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