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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDG6316P

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDG6316P

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Número da peça :FDG6316P
Fabricante :Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição :MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :PowerTrench®
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações de FDG6316P

Estado da parte Ativo
Tipo do FET P-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 12V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 700mA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 270 mOhm @ 700mA, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 146pF @ 6V
Poder - máximo 300mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote do dispositivo do fornecedor SC-70-6
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de FDG6316P

Detecção

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