KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7507PBF

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7507PBF

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Número da peça :IRF7507PBF
Fabricante :Infineon Technologies
Descrição :MOSFET N/P-CH 20V DUPLO MICRO-8
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :HEXFET®
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações de IRF7507PBF

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do FET N e P-canal
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 2.4A, 1.7A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 700mV @ 250µA (minuto)
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 260pF @ 15V
Poder - máximo 1.25W
Temperatura de funcionamento -
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", largura de 3.00mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor Micro8™
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRF7507PBF

Detecção

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