KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMS3014SSS-13 únicos

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País / Região:china
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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMS3014SSS-13 únicos

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Número da peça :DMS3014SSS-13
Fabricante :Diodos incorporados
Descrição :MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações DMS3014SSS-13

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 10.4A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2.2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 45.7nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 2296pF @ 15V
Vgs (máximo) -
Característica do FET Diodo de Schottky (corpo)
Dissipação de poder (máxima) 1.55W (Ta)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 13 mOhm @ 10.4A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SO
Pacote/caso 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento DMS3014SSS-13

Detecção

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