KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STD8NM60ND únicos

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País / Região:china
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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STD8NM60ND únicos

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Número da peça :STD8NM60ND
Fabricante :STMicroelectronics
Descrição :MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série :FDmesh™ II
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações de STD8NM60ND

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 7A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 560pF @ 50V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 70W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 700 mOhm @ 3.5A, 10V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor D-Pak
Pacote/caso TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STD8NM60ND

Detecção

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