KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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TK8P60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de RVQ únicos

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País / Região:china
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TK8P60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de RVQ únicos

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Número da peça :TK8P60W5, RVQ
Fabricante :Semicondutor e armazenamento de Toshiba
Descrição :MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série :DTMOSIV
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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TK8P60W5, especificações de RVQ

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 8A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 400µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 590pF @ 300V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 80W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 560 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor DPAK
Pacote/caso TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

TK8P60W5, empacotamento de RVQ

Detecção

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