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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD3NK80Z-1 únicos

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País / Região:china
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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD3NK80Z-1 únicos

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Número da peça :STD3NK80Z-1
Fabricante :STMicroelectronics
Descrição :MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série :SuperMESH™
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações STD3NK80Z-1

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 800V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 2.5A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 50µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 485pF @ 25V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 70W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 4,5 ohms @ 1.25A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor Eu-Pak
Pacote/caso TO-251-3 ligações curtos, IPak, TO-251AA
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento STD3NK80Z-1

Detecção

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