KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STW25N80K5 únicos

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País / Região:china
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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STW25N80K5 únicos

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Número da peça :STW25N80K5
Fabricante :STMicroelectronics
Descrição :MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série :SuperMESH5™
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações STW25N80K5

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 800V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 19.5A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1600pF @ 100V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 250W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 260 mOhm @ 19.5A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247
Pacote/caso TO-247-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento STW25N80K5

Detecção

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