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Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTG30N60C3D IGBT único

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País / Região:china
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Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTG30N60C3D IGBT único

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Número da peça :HGTG30N60C3D
Fabricante :Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição :IGBT 600V 63A 208W TO247
Categoria :Transistor - IGBTs - únicos
Família :Transistor - IGBTs - únicos
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações de HGTG30N60C3D

Estado da parte Não para projetos novos
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 63A
Atual - coletor pulsado (Icm) 252A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 1.8V @ 15V, 30A
Poder - máximo 208W
Energia de comutação 1.05mJ (sobre), 2.5mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 162nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C -
Condição de teste -
Tempo de recuperação reversa (trr) 60ns
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de HGTG30N60C3D

Detecção

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