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Transistor IGBTs do módulo de poder de RJP60F5DPK-01#T0 IGBT único

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País / Região:china
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Transistor IGBTs do módulo de poder de RJP60F5DPK-01#T0 IGBT único

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Número da peça :RJP60F5DPK-01#T0
Fabricante :Eletrônica América de Renesas
Descrição :IGBT 600V 80A 260.4W
Categoria :Transistor - IGBTs - únicos
Família :Transistor - IGBTs - únicos
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações RJP60F5DPK-01#T0

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 80A
Atual - coletor pulsado (Icm) 160A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 1.8V @ 15V, 40A
Poder - máximo 260.4W
Energia de comutação -
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 74nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 53ns/90ns
Condição de teste 400V, 30A, 5 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-3P-3, SC-65-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-3P
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento RJP60F5DPK-01#T0

Detecção

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