A TECNOLOGIA ELETRÔNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITOU

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Poder do canal 500mV 30V RF dos transistor N do MOSFET de AFT05MS003NT1

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País / Região:china
Pessoa de contato:sales
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Poder do canal 500mV 30V RF dos transistor N do MOSFET de AFT05MS003NT1

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Number modelo :AFT05MS003NT1
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :dias 10000+3-5work
Prazo de entrega :3-5 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :SOT-89-3, Corte a fita, carretel
Categoria de produto :Transistor do MOSFET do RF
Polaridade do transistor :N-canal
Pacote/caso :SOT-89-3
Número de canais :1 canal
Frequência de funcionamento :1,8 megahertz a 941 megahertz
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Poder do canal 500mV 30V RF dos transistor N do MOSFET de AFT05MS003NT1

AFT05MS003NT1, , transistor do MOSFET do RF, N-canal, - 500 milivolts, 30 V, MOSFET do poder do RF, 1,8 megahertz a 941 megahertz, 20,8 DB, SOT-89-3

Atributo de produto Valor de atributo
Transistor do MOSFET do RF
N-canal
Si
2,6 A
- 500 milivolts, 30 V
1,8 megahertz a 941 megahertz
DB 20,8
3,2 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-89-3
Carretel
Corte a fita
Tipo: Semicondutores de
Número de canais: 1 canal
Paládio - dissipação de poder: 30,5 W
Tipo de produto: Transistor do MOSFET do RF
Subcategoria: MOSFETs
Tipo: MOSFET do poder do RF
Vgs - tensão da Porta-fonte: - 6 V, 12 V
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 2,2 V
Parte # pseudônimos: 935312585147
Peso de unidade: 0,001792 onças
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