A TECNOLOGIA ELETRÔNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITOU

Winning doesn't have to have capital, but to give up will lose

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
4 Anos
Casa / Produtos / IGBT Power Module / Transistor bipolares do módulo de poder 600mA de MMBT5551LT1G IGBT 160V BJT /

show pictures

Contate
A TECNOLOGIA ELETRÔNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITOU
País / Região:china
Pessoa de contato:sales
Contate

Transistor bipolares do módulo de poder 600mA de MMBT5551LT1G IGBT 160V BJT

Transistor bipolares do módulo de poder 600mA de MMBT5551LT1G IGBT 160V BJT
  • Transistor bipolares do módulo de poder 600mA de MMBT5551LT1G IGBT 160V BJT
OS produtos detalhados
Transistor bipolares do módulo de poder 600mA de MMBT5551LT1G IGBT 160V BJT Transistor bipolares de MMBT5551LT1G SOT-23-3 - BJT 600mA 160V NPN ...
Ver OS produtos detalhados →