A TECNOLOGIA ELETRÔNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITOU

Winning doesn't have to have capital, but to give up will lose

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
3 Anos
Casa / Produtos / Integrated Circuit IC Chip /

Transistor bipolares de MBT3906DW1T1G - GP XSTR PNP 40V de BJT SS

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País / Região:china
Pessoa de contato:sales
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Transistor bipolares de MBT3906DW1T1G - GP XSTR PNP 40V de BJT SS

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Number modelo :MBT3906DW1T1G
Quantidade de ordem mínima :3000
Termos do pagamento :T/T
Detalhes de empacotamento :Encaderne packging
Polaridade do transistor :PNP
Configuração :Duplo
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima :40 V
Tensão baixa VCBO do coletor :40 V
Tensão baixa VEBO do emissor :5 V
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Transistor bipolares - GP XSTR PNP 40V de BJT SS

Atributo de produto Valor de atributo
onsemi
Categoria de produto: Transistor bipolares - BJT
RoHS: Detalhes
SMD/SMT
SOT-363-6
PNP
Duplo
40 V
40 V
5 V
400 milivolt
200 miliampères
150 mW
250 megahertz
- 55 C
+ 150 C
MBT3906DW1
Carretel
Corte a fita
MouseReel
Tipo: onsemi
Corrente de coletor contínua: - mAdc 200
Coletor da C.C./minuto baixo do hfe do ganho: 60
Altura: 1 milímetro
Comprimento: 2,2 milímetros
Tipo de produto: BJTs - transistor bipolares
3000
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