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Transistor de IC Chip Silkscreen K30H603 IGBT da memória Flash IKW30N60H3

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País / Região:china
Pessoa de contato:sales
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Transistor de IC Chip Silkscreen K30H603 IGBT da memória Flash IKW30N60H3

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Number modelo :IKW30N60H3
Lugar de origem :Alemanha
Quantidade de ordem mínima :10
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :240PCS em uma caixa
Detalhes de empacotamento :240PCS em uma caixa
Categoria de produto :Transistor de IGBT
RoHS :Detalhes
Tecnologia :Si
Pacote/caso :TO-247-3
Montando o estilo :Através do furo
Configuração :Único
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima :600V
Tensão de saturação do Coletor-emissor :1,95 V
Tensão máxima do emissor da porta :20 V
Corrente de coletor contínua em 25 C :60 A
Paládio - dissipação de poder :187 W
Temperatura de funcionamento mínima :- 40 C
Temperatura de funcionamento máximo :+ 175 C
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Transistor de IC Chip Silkscreen K30H603 IGBT da memória Flash IKW30N60H3

Transistor de solda importados novos 600V 30A 187W do tubo IGBT do poder superior do triode IGBT da tela de seda de IKW30N60H3 K30H603

Atributo de produto Valor de atributo
Infineon
Transistor de IGBT
RoHS: Detalhes
Si
TO-247-3
Através do furo
Único
600 V
1,95 V
20 V
60 A
187 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT3
Tubo
Tipo: Infineon Technologies
Corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
Altura: 20,7 milímetros
Comprimento: 15,87 milímetros
Tipo de produto: Transistor de IGBT
Quantidade do bloco da fábrica: 240
Subcategoria: IGBTs
Tradename: TRENCHSTOP
Largura: 5,31 milímetros
Parte # pseudônimos: IKW3N6H3XK SP000703042 IKW30N60H3FKSA1
Peso de unidade: 0,229281 onças


Serviço da empresa

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