TECNOLOGIA DE SENSOR CO. DE QINGDAO DASS, LTD.

Supreme and consistent quality control, caring service.

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
7 Anos
Casa / Produtos / Sensor fotoelétrico em forma de u /

A saída fotoelétrica em forma de u do sensor de DASS procura um caminho mais curto o material do ABS da proteção

Contate
TECNOLOGIA DE SENSOR CO. DE QINGDAO DASS, LTD.
Cidade:qingdao
Província / Estado:shandong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrMA NING
Contate

A saída fotoelétrica em forma de u do sensor de DASS procura um caminho mais curto o material do ABS da proteção

Pergunte o preço mais recente
Brand Name :DASS
Model Number :DS-ES
Certification :CE
Place of Origin :CHINA
MOQ :1000 PCS
Price :USD4-6/PC
Payment Terms :T/T
Supply Ability :30000 PCS ONE MONTHS
Delivery Time :7 DAYS
Packaging Details :CARTON
Photoelectric Sensor :Anti-light interference
U-type Photoelectric Sensor :Inspection Frequency>2KHZ
Photoelectric Slot Sensor :Anti-power interference
Service Environment :Ability to adapt to environmental pollution
Weight :29g
Color :Black
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

 

Sensor fotoelétrico de /U-type do sensor fotoelétrico em forma de u/sensor fotoelétrico do entalhe

 

Photomicrosensor com amplificador incorporado e cabo unido reduz a interferência clara externo.
• A modulação clara reduz eficazmente a interferência clara externo.
• Escala larga da tensão da operação: 5 a 24 VDC
• Para a informação a mais recente nos modelos que foram certificados para standard de segurança, monitoração fácil da operação com o indicador claro brilhante.

• Monitoração fácil da operação com o indicador claro brilhante.

 

 

Modelo

NPN

DS-ES61P DS-ES62 DS-ES63 DS-ES64
PNP DS-ES61P DS-ES62P DS-ES63P DS-ES64P
Detectando a distância
(largura de entalhe)
5mm (largura de entalhe)
Detectando o objeto Opaco: 2 × 0,8 milímetro Min.
Distância diferencial 0.025mm
Fonte luminosa Diodo emissor de luz infravermelho do GaAs (iluminação do pulso) com um comprimento de onda máximo de 940 nanômetro      
maneira da saída N= NPN.NO.NC P= PNP.NO.NC
tensão 5 a 24 VDC ±10%, ondinha (p-p): máximo de 10%.
Consumo atual Média: 35 miliampères máximo (NPN). ; Pico: máximo de 30 miliampère (PNP)      
Iluminação ambiental máximo de 1.000 lx com luz incandescente na superfície do receptor      
Variação da temperatura ambiental Funcionamento: −25 a +55°C
Armazenamento: −30 a +80°C
Escala de umidade ambiental Funcionamento: 5% a 85%
Armazenamento: 5% a 95%
Resistência da vibração Destruição: 20 a 2000 hertz,
1,5 milímetros de amplitude do dobro para 2 h cada um em sentidos de X, de Y, e de Z
Resistência de choque Destruição: 500 m/s2 por 3 vezes
cada um em sentidos de X, de Y, e de Z
Grau de proteção IEC IP50
Método de conexão Pre-prendido (comprimento do cabo padrão: 1 m)
Frequência da resposta Um minuto de 1 quilohertz (média 3 quilohertz)
Peso 29g
Controle a saída Tensão de NPN output:
Tensão de fonte de alimentação da carga: 5 a 24 VDC
Corrente da carga: máximo de 100 miliampère.
FORA da corrente: 0,8 máximos do miliampère.
corrente da carga de 100 miliampère com uma tensão residual de 0,8 máximos de V.
corrente da carga de 40 miliampère com uma tensão residual de 0,4 V máximos, tensão de PNP output:
Tensão de fonte de alimentação da carga: 5 a 24 VDC
Corrente da carga: máximo de 50 miliampère.
FORA da corrente: máximo de 1,3 miliampère.
corrente da carga de 50 miliampère com uma tensão residual de 1,3 V máximos
Material Material de Shell: PBT/ABS
Pervious para iluminar a parte: PC

 

 

A saída fotoelétrica em forma de u do sensor de DASS procura um caminho mais curto o material do ABS da proteção

 

Inquiry Cart 0