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Mo + disco da liga do molibdênio de 0.40-0.55%Ti + de 0.06-0.12%Zr TZM
1. Descrição do disco da liga do molibdênio de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:
O disco da liga do molibdênio de TZM é atualmente o material de alta temperatura da liga a mais excelente do molibdênio. É endurecimento contínuo de uma solução e liga molibdênio-baseada reforçada partícula, TZM é mais duro do que o metal puro do molibdênio, e tem uma temperatura mais alta do recrystallization e a melhor resistência de rastejamento, a temperatura do recrystallization é o ℃ aproximadamente 1400, muito mais alto para o molibdênio, ele pode fornecer o melhor solderability.
2. Tamanho do disco da liga do molibdênio de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:
Diâmetro do disco: 20-600mm
Espessura do disco: 6-25mm
Superfície: preto, C.C, brilhante, lustrado
Padrão: ASTMB 386
Igualmente nós podemos processar conforme o pedido do cliente.
3. propriedades mecânicas do disco da liga do molibdênio de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:
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Alongamento
/%
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Módulo elástico
/GPa
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Força de rendimento
/MPa
|
Resistência à tração
/MPa
|
Dureza da fratura
/(PM·m1/2)
|
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<20> |
320
|
560~1150
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685
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5.8~29.6
|
4. Composição quimica medida real do disco da liga do molibdênio de TZM:
| Elemento | Si | Manganês | Ni | Cu | V | Zr | O | P | Fe | Magnésio |
| Concentração (%) | 0,002 | 0,0009 | 0,0008 | 0,0018 | 0,013 | 0,086 | 0,32 | 0,001 | 0,0011 | 0,0015 |
| Elemento | Al | Si | Ca | C | N | |||||
| Concentração (%) | 0,001 | 0,5 | <0> | 0,012 | 0,0022 | |||||
| Pureza (base metálica) Mo≥99.06% (TZM) | ||||||||||
5. aplicação do disco da liga do molibdênio de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:
Disco da liga do molibdênio de TZM usado principalmente para componentes de alta temperatura da fornalha, cadinhos, mísseis e o outro bocal de foguete sob a alta temperatura.
O disco da liga do molibdênio de TZM é amplamente utilizado como materiais do contato nos diodos de retificadores controlados do silicone, nos transistor e nos tiristores (GTO). A não ser em aplicações do especialista, o molibdênio é aceitado agora como o primeiro material de montagem bem escolhido para os dispositivos de semicondutor do poder devido a seus significativamente mais barato e peso. O fato de que ambos os materiais têm um coeficiente de expansão similar ao silicone combinado com a condutibilidade térmica alta faz-lhes uma escolha ideal, especialmente nos dispositivos de poder da grande área onde o calor considerável é gerado. Umas aplicações mais adicionais incluem o uso do molibdênio como bases do dissipador de calor em IC, em LSI e em circuitos híbridos.
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