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Estação Base 5G MOSFET de Baixa Tensão com Processo SGT Baixa Perda de Potência
O MOSFET de baixa tensão é um tipo de dispositivo semicondutor de potência com baixa perda de potência e alta capacidade EAS.É geralmente usado em aplicações de baixa tensão e as vantagens do processo de trincheira permitem que ele tenha RSP menor e combinado livremente e utilizado tanto em série e configurações paralelasAs vantagens do processo SGT proporcionam ainda uma otimização FOM inovadora e cobrem mais aplicações.O MOSFET de baixa tensão é uma escolha ideal para um controle de energia eficiente e confiável.
Nome do produto | MOSFET de baixa tensão |
---|---|
Processo de estrutura | Tranche/SGT |
Capacidade de EAS | Alta capacidade de EAS |
Processo SGT Vantagens | Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações. |
Processo SGT Application | Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica. |
Aplicação do processo de trincheira | Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona. |
Consumo de energia | Baixa perda de potência |
Eficiência | Alta eficiência e fiabilidade |
Vantagens do processo de trincheira | RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente. |
resistência | Baixa Rds ((ON) |
Nós fornecemos suporte técnico e serviço abrangente para os nossos produtos MOSFET de Baixa Tensão.Desde a concepção e prototipagem até à produção e pós-produçãoTemos uma ampla gama de recursos, incluindo tutoriais, documentação on-line, webinars e muito mais. Também fornecemos suporte no local para nossos clientes, se necessário.
Nossa equipe de suporte técnico e serviço está disponível 24 horas por dia, 7 dias por semana, para responder a qualquer pergunta que você possa ter.Estamos empenhados em fornecer aos nossos clientes produtos e serviços da mais alta qualidade.
Se tiver alguma dúvida ou precisar de assistência, por favor contacte-nos a qualquer momento.
O produto MOSFET de baixa tensão deve ser embalado num saco de descarga eletrostática (ESD) e enviado numa caixa antiestática para proteger contra a eletricidade estática.