99.95% Produtos de Tungsténio puro Anel de tungsténio para semicondutores
Introdução
Grau: W 1
Purificação: > 99,95%
Densidade: 17,1 g / cm 3-19,3 g / cm 3
Tamanho: Diâmetro > 10 mm * espessura > 0,1 mm
Técnica de transformação: laminada a frio/mecanizada
Superfície: superfície polida/superfície mecanizada
Cor: cor metálica
Condição: recozimento a vácuo
Ponto de fusão: 3410 graus
Ponto de ebulição: 5927 graus
Prazo de entrega: 3-10 dias
Parâmetro
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Peso Molecular
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183.85
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Aparência
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Argila
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Ponto de fusão
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3410 °C
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Ponto de ebulição
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5900 °C
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Densidade
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190,3 g/cm3
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Solubilidade em H2O
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N/A
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Resistividade elétrica
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50,65 μΩ ·m (27 °C)
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Electronegatividade
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1.7 Paulings
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Calor da fusão
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350,3 kJ/mol
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Calor da vaporização
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8060,7 kJ/mol
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Relação de Poisson
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0.28
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Calor específico
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0.133 J/g mol (20 °C)
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Resistência à tração
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750 MPa
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Conductividade térmica
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10,73 W/m K
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Expansão térmica
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(25 °C) 4,5 μm·m-1·K-1
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Dureza de Vickers
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3430 MPa
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Módulo de Young
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411 GPa
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Aplicações de anéis de tungstênio
1. amplamente utilizado em semicondutores, deposição química de vapor (CVD) e deposição física de vapor (PVD) e aplicações ópticas;
2. utilizadas na produção de eletrodos, elementos de aquecimento, blindagens térmicas, bandejas de sinterização, barras de sinterização, folhas de empilhamento, placas de base, alvos de pulverização, cristais em aplicações eletrónicas e de vácuo.
3. podem ser utilizados como contatos nos motores dos veículos.
