Luoyang Hypersolid Metal Tech Co., Ltd

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Alta pureza 99,97% de tungstênio Meta Condição da superfície do solo para revestimento de pulverização

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Luoyang Hypersolid Metal Tech Co., Ltd
Cidade:luoyang
País / Região:china
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Alta pureza 99,97% de tungstênio Meta Condição da superfície do solo para revestimento de pulverização

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Número do modelo :Alvo de tungsténio
Quantidade mínima de encomenda :negocie
Condições de pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidade de abastecimento :10000sets/month
Tempo de entrega :30 dias após receber o pagamento inicial
Detalhes da embalagem :caixas padrão de exportação
Nome :Alvo de tungsténio
Forma :Rondas
Materiais :TUNGSTÊNIO
Composição química :99,97%
Circunstância de superfície :lathed, à terra, lustrando ou lustro do espelho
Aplicação :Revestimento por pulverização
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Meta de tungstênio de alta pureza 99,97% para revestimento por pulverização

 

Introdução


1O alvo de pulverização de tungstênio adota as melhores técnicas demonstradas, incluindo fluorescência de raios-X (XRF), espectrometria de massa de descarga de brilho (GDMS) e plasma acoplado indutivamente (ICP);
2O alvo de tungstênio do Achemetal é fornecido com alta pureza de até 99,97%, densidade de 18,8-19 g/cm3, estrutura de organização homogênea e grão fino;
3Nosso alvo de pulverização de tungstênio foi aprovado pela ASTM B 760-2007 e GB 3875-2006.

 

Parâmetro

 

OD ((mm)

ID ((mm)

Duração ((mm)

Feito sob medida

140 a 300

120 a 280

100-3300

 

 

Número do modelo

W1

Forma

personalizado

Composição química

990,95% W

 

Características

 

1. Alta densidade
2. Alta resistência ao desgaste
3. Alta condutividade térmica com baixo coeficiente de expansão térmica

 

Especificações

 

Número atómico

74

Número CAS

7440-33-7

Massa atómica

1830,84 [g/mol]

Ponto de fusão

3420 °C

Ponto de ebulição

5555 °C

Densidade a 20 °C

19.25 [g/cm3]

Estrutura cristalina

Cubo centrado no corpo

Coeficiente de expansão térmica linear a 20 °C

4.410-6[m/mK]

Conductividade térmica a 20 °C

164 [W/mK]

Calor específico a 20 °C

0.13 [J/gK]

Conductividade elétrica a 20 °C

18.2106[S/m]

Resistência elétrica específica a 20 °C

0.055 [(mm2)/m]

 

Aplicações

 

semicondutores

deposição química de vapor (CVD)

Display de deposição física de vapor (PVD)

 

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