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Definição Tabletop do microscópio de elétron 1X-300000X da exploração da EBS EDS 3nm

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Phidix Motion Controls (Shanghai) Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:MrJohnny Zhang
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Definição Tabletop do microscópio de elétron 1X-300000X da exploração da EBS EDS 3nm

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Number modelo :M22006
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Capacidade da fonte :10 PCS/Month
Prazo de entrega :40 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :1 caixa de PC/Wooden
Cor :branco
Personalização :OEM, ODM
Embalagem :1 PC/Carton
Garantia :1 ano
Definição :3Nm
Ampliação :300000X
Tensão de aceleração :1~30kV
Detecção de sinal :Detector de elétron secundário (SED)
Arma de elétron :forquilha-tipo de tamanho médio Pre-alinhado filamento do tungstênio
Tamanho de Max Sample :370mm no diâmetro, 68mm na altura
Auto função :Auto contraste do brilho, auto foco
Sistema do vácuo :Melhor de Pa 9 x 10-4 sob o vácuo alto
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Definição do microscópio de elétron 3nm da exploração da ampliação 1X-300000X com EBS, EDS, o EBSD, o WDS e CL opcionais

 

M22006 é um microscópio de elétron eficaz na redução de custos da exploração do filamento do tungstênio para a observação de microestrutura do nanoscale. Tem uma ampliação até de 300,000x e de uma definição melhor do que 3nm e é equipado igualmente com uma câmara da amostra do diâmetro de 370mm. É um microscópio de elétron de capacidade elevada da varredura com definição ultra-alta e qualidade excelente da imagem. A ampliação é continuamente ajustável, e as imagens claras com brilho alto podem ser obtidas no campos diferentes da vista. A profundidade de campo é grande e a imagem é rica no estéreo. Equipado com grande um modo da câmara da amostra da baixa tensão e expande extremamente a escala de aplicações.

 

Specials:

 

- Ampliação 300000X máximo.

- Detecção de sinal: Detector de elétron secundário (SED).

- Tensão de aceleração: 1~30KV, definição de imagem alta.

- BSE/EDS/EBSD/WDS/CL é opcional, para a análise componente.

- Sistema do vácuo alto.

- Linha central três automática (padrão).

 

Artigo Especificação M22006
Definição 3nm@30kV (SE)
Ampliação 1X~300000X
Tensão de aceleração 1~30kV
Detecção de sinal Detector de elétron secundário (SED)
Arma de elétron forquilha-tipo de tamanho médio Pre-alinhado filamento do tungstênio
Auto função Auto contraste do brilho, auto foco
StageSystem/movimento Método de controle: Válvula automática
Bomba de Turbomolecular: 240 L/S
Bomba mecânica: ³ /h de 12 m (50 hertz)
Câmera: Navegação ótica, monitorando na câmara da amostra
Configuração da fase da amostra, linha central três automática (padrão)
X: 0~100mm
Y: 0~100mm
Z: 0~60mm
Max Sample Diameter: 370mm
Max Sample Height: 68mm
Linha central cinco automática (opcional)
X: 0~115mm
Y: 0~115mm
Z: 0~65mm
R: 360°
T: -10°~75°
Max Sample Diameter: 370mm
Max Sample Height: 73mm
Sistema do vácuo Melhor de Pa 9 x 10-4 sob o vácuo alto
Detector opcional BSEEDSEBSDWDSCL
Sistema da imagem latente ≤ 6144 x 4096 do pixel da imagem
Formato da imagem: TIFF, JPG, BMP, PNG
Software Língua: Chinês/inglês
Sistema operacional: Windows
Navegação: A navegação ótica, gesticula a navegação rápida
Função especial: Astigmatismo dinâmico
Exigências da instalação Espaço: L≥ 3000 milímetros, ≥ de W 4000 milímetros, ≥ de H 2300 milímetros
Tamanho da porta: ≥ de W 900 milímetros, ≥ de H 2000 milímetros
Temperatura: ℃ 20 ao ℃ 25
Umidade: ≤ 50%
Ruído: ≤ 45dB
Fonte de alimentação: C.A. 220 V (± 10%), 50 hertz, 2 kVA
Fio à terra: Menos de 4 Ω
Campo magnético da C.A.: Menos NT de 100

Nota:● significa o padrão, ○ significa opcional

 

 

Galeria

 

Definição Tabletop do microscópio de elétron 1X-300000X da exploração da EBS EDS 3nm

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Aplicações

 

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