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Sensor fotoelétrico infravermelho 190 de S1227-16BQ a 1000 nanômetro para a fotometria precisa

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Sensor fotoelétrico infravermelho 190 de S1227-16BQ a 1000 nanômetro para a fotometria precisa

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Number modelo :S1227-16BQ
Lugar de origem :Japão
Quantidade mínima de encomenda :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade de abastecimento :2000pcs/Mês
Prazo de entrega :dias 3-5work
Detalhes de empacotamento :Em uma caixa
Área fotossensível :5.9 × 1,1 mm
Pacote :De aço inoxidável
refrigeração :Uncooled
Voltagem inversa (máximo) :5 V
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Descrição do produto:

Os fotodiodos do silicone de S1227-16BQ são usados para a fotometria precisa do ultravioleta à luz visível

Características:

Apropriado para UV à luz visível, determinação fotométrica da precisão; Supressão da sensibilidade infravermelha da faixa

Características do produto

Sensibilidade UV alta (tipo da janela de quartzo): QE = 75% (λ=200 nanômetro)

Inibição da sensibilidade infravermelha da faixa

Baixa corrente escura

Tempo de elevação (valor típico). 0,5 u s

Capacidade de junção (valor típico) 170 PF

da condição Ta=25 da medida, tipo., salvo disposição em contrário, fotossensibilidade: λ=720 nanômetro, corrente escura: VR=10 milivolt, capacidade terminal: VR=0 V, f=10 quilohertz

Especificações:

a escala da resposta espectral é 190 a 1000 nanômetro
o comprimento de onda máximo da sensibilidade (valor típico) era 720 nanômetro
Sensibilidade (valor típico) 0,36 A/W
Atual escuro (máximo) pA 5

Sensor fotoelétrico infravermelho 190 de S1227-16BQ a 1000 nanômetro para a fotometria precisa

Sensor fotoelétrico infravermelho 190 de S1227-16BQ a 1000 nanômetro para a fotometria precisa

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