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Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe

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Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe

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Number modelo :S7686
Lugar de origem :Japão
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :911/pcs/pre
Prazo de entrega :dias 3-5work
Detalhes de empacotamento :Tubos de
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Descrição do produto:

O fotodiodo do silicone S7686 é usado para medir a sensibilidade perto da eficiência espectral da luminescência

Características:

S7686 é um fotodiodo do silicone cujas as características de resposta espectral sejam mais perto da sensibilidade (eficiência espectral da luminescência) do olho humano do que os sensores leves visíveis tradicionais da compensação (S1133, etc.).

A resposta espectral é similar à eficiência espectral da luminescência do CIE

Pacote cerâmico, confiança alta

Área fotográfica: 2,4 × 2.8mm

Resposta de alta velocidade: 0,5 E.U. (VR=0 V, kω RL=1)

Valor do Fs: valor típico de 8% (incidência clara vertical)

Tempo de elevação (valor típico). 0,5 u s

Capacidade de junção (valor típico) 200 PF

da condição TYPE.TA =25 da medida, salvo disposição em contrário, fotossensibilidade: λ=λp, corrente escura: VR=1V, capacidade terminal: VR=0 V, f=10 quilohertz

Especificações:

Tensão reversa (máximo) 10V
a escala da resposta espectral é 480 a 660 nanômetro
o comprimento de onda máximo da sensibilidade (valor típico) era 550 nanômetro
Sensibilidade (valor típico) 0,38 A/W
Atual escuro (máximo) pA 20

Sensor fotoelétrico 550 nanômetro de S7686 IR, detector infravermelho fotoelétrico do feixe

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