ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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UVA GaN-baseou a operação fotovoltaico UV do modo do sensor GS-AB-S do fotodiodo

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UVA GaN-baseou a operação fotovoltaico UV do modo do sensor GS-AB-S do fotodiodo

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Number modelo :GS-AB-S
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :5
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :1501/pcs/pre
Prazo de entrega :dias 3-5work
Detalhes de empacotamento :Tubos de
Material :matéria-prima do nitreto do gálio
Faixa larga :Fotodiodo de UVA+UVB+UVC
Princípio :Funcionamento no modo fotovoltaico
Empacotamento :TO-46
Objeto de teste :Detecção ultravioleta
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Descrição do produto:

GS-AB-S GaN-baseou o fotodiodo UV

Características:

Fotodiodo largo da faixa UVA+UVB+UVC

Operação fotovoltaico do modo

Alojamento de TO-46metal

Boa cegueira visível

Responsivity alto e baixa corrente escura

Monitoração UV do índice, medida UV da dose de radiação, detecção da chama

Especificação

Parâmetros Símbolo Valor Unidade
Avaliações máximas
Variação da temperatura da operação Topt -25-85 OC
Variação da temperatura do armazenamento Tsto -40-85 OC
Temperatura de solda (3 s) Tsol 260 OC
Tensão reversa Vr-máximo -10 V
Características gerais (25 OC)
Tamanho da microplaqueta 1 mm2
Atual escuro (Vr = -1 V) Identificação <1>nA
Coeficiente de temperatura (@265 nanômetro) Tc 0,05 % de OC
Capacidade (em 0 V e em 1 megahertz) Cp 18 PF
Características de resposta espectral (25 OC)
Comprimento de onda do responsivity máximo λ p 355 nanômetro
Responsivity máximo (em 355 nanômetro) Rmax 0,20 A/W
Escala da resposta espectral (R=0.1×Rmax) - 210-370 nanômetro
relação de rejeção Uv-visível (Rmax/R400 nanômetro) - >104 -

Especificações:

Especificações Parâmetros
Comprimento de onda máximo 355NM
Sensibilidade clara 0.20A/W
Tempo de elevação 3US
Condições de teste valores típicos, Ta=25°

UVA GaN-baseou a operação fotovoltaico UV do modo do sensor GS-AB-S do fotodiodo

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