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Descrição do produto:
GS-AB-S GaN-baseou o fotodiodo UV
Características:
Fotodiodo largo da faixa UVA+UVB+UVC
Operação fotovoltaico do modo
Alojamento de TO-46metal
Boa cegueira visível
Responsivity alto e baixa corrente escura
Monitoração UV do índice, medida UV da dose de radiação, detecção da chama
Especificação
| Parâmetros | Símbolo | Valor | Unidade |
| Avaliações máximas | |||
| Variação da temperatura da operação | Topt | -25-85 | OC |
| Variação da temperatura do armazenamento | Tsto | -40-85 | OC |
| Temperatura de solda (3 s) | Tsol | 260 | OC |
| Tensão reversa | Vr-máximo | -10 | V |
| Características gerais (25 OC) | |||
| Tamanho da microplaqueta | 1 | mm2 | |
| Atual escuro (Vr = -1 V) | Identificação | <1> | nA |
| Coeficiente de temperatura (@265 nanômetro) | Tc | 0,05 | % de OC |
| Capacidade (em 0 V e em 1 megahertz) | Cp | 18 | PF |
| Características de resposta espectral (25 OC) | |||
| Comprimento de onda do responsivity máximo | λ p | 355 | nanômetro |
| Responsivity máximo (em 355 nanômetro) | Rmax | 0,20 | A/W |
| Escala da resposta espectral (R=0.1×Rmax) | - | 210-370 | nanômetro |
| relação de rejeção Uv-visível (Rmax/R400 nanômetro) | - | >104 | - |
Especificações:
| Especificações | Parâmetros |
| Comprimento de onda máximo | 355NM |
| Sensibilidade clara | 0.20A/W |
| Tempo de elevação | 3US |
| Condições de teste | valores típicos, Ta=25° |
