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Descrição do produto:
GS-UVV-3535LCW InGaN-baseou a cura UV da medida UV UV UV da dose de radiação da monitoração do diodo emissor de luz do fotodiodo
Características:
Características gerais:
l nitreto do gálio do índio a matéria-prima
l operação fotovoltaico do modo
l pacote cerâmico de SMD 3535 com janela de quartzo
l responsivity alto e baixa corrente escura
Aplicações: Monitoração UV do diodo emissor de luz, medida UV da dose de radiação, cura UV
Avaliações máximas da unidade do valor do símbolo dos parâmetros
Variação da temperatura Topt -25-85 OC da operação
Variação da temperatura Tsto -40-85 OC do armazenamento
Temperatura de solda (3 s) Tsol 260 OC
Tensão reversa -10 V Vr-máximo
Atual mm2 escuro geral do tamanho A 1 da microplaqueta das características (25 OC) (Vr = V) identificação -1 <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0=""> <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0="">
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Especificações:
Comprimento de onda do responsivisity máximo | λ p 390 nanômetro |
Responsivisity máximo (em 385 nanômetro) | Rmax 0,289 A/W |
Escala da resposta espectral (R=0.1×Rmax) | 290-440 nanômetro |
relação de rejeção Uv-visível (Rmax/R450 nanômetro) | - >10 - |