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Detector UV InGaN-baseado do sensor do fotodiodo que cura a medida GS-UVV-3535LCW da radiação

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Detector UV InGaN-baseado do sensor do fotodiodo que cura a medida GS-UVV-3535LCW da radiação

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Number modelo :GS-UVV-3535LCW
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :5
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :1501/pcs/pre
Prazo de entrega :dias 3-5work
Detalhes de empacotamento :Trança
Chip Size :1 mm2
Pacote :SMD 3535
Características :Janela alta de quartzo transparente, sensibilidade alta, baixa corrente escura
Comprimento de onda da resposta :290-440 nanômetro
Aplicação típica :Monitoração de cura UV
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Descrição do produto:

GS-UVV-3535LCW InGaN-baseou a cura UV da medida UV UV UV da dose de radiação da monitoração do diodo emissor de luz do fotodiodo

Características:

Características gerais:

l nitreto do gálio do índio a matéria-prima

l operação fotovoltaico do modo

l pacote cerâmico de SMD 3535 com janela de quartzo

l responsivity alto e baixa corrente escura

Aplicações: Monitoração UV do diodo emissor de luz, medida UV da dose de radiação, cura UV

Avaliações máximas da unidade do valor do símbolo dos parâmetros

Variação da temperatura Topt -25-85 OC da operação

Variação da temperatura Tsto -40-85 OC do armazenamento

Temperatura de solda (3 s) Tsol 260 OC

Tensão reversa -10 V Vr-máximo

Atual mm2 escuro geral do tamanho A 1 da microplaqueta das características (25 OC) (Vr = V) identificação -1 <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0=""> <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0="">

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Especificações:

Comprimento de onda do responsivisity máximo λ p 390 nanômetro
Responsivisity máximo (em 385 nanômetro) Rmax 0,289 A/W
Escala da resposta espectral (R=0.1×Rmax) 290-440 nanômetro
relação de rejeção Uv-visível (Rmax/R450 nanômetro) - >10 -

Detector UV InGaN-baseado do sensor do fotodiodo que cura a medida GS-UVV-3535LCW da radiação

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