Módulo automotivo de Infineon IGBT, conversores FF1200R12IE5 do módulo do poder superior IGBT
Número de modelo:FF1200R12IE5
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1 conjunto
Termos do pagamento:T/T.
Capacidade da fonte:1000sets
Tempo de entrega:25 dias após ter assinado o contrato
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
P 27, bloco B, Duhui 100, Zhonghang Road, no distrito de Futian, Shenzhen, China
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
O motor automotivo dos conversores de poder superior FF1200R12IE5 dos módulos de Infineon Technologies IGBT conduz
Aplicações típicas
• Conversores de poder superior
• Movimentações do motor
• Sistemas de UPS
Características elétricas
• Temperatura de funcionamento prolongada Tvj op
• A elevaço procura um caminho mais curto a capacidade
• Vigor imbatível
• Tvj op = 175°C
• Trincheira IGBT 5
Características mecnicas
• Pacote com CTI>400
• Densidade de poder superior
• Poder superior e capacidade térmica do ciclismo
• Distncias altas da disperso e do afastamento
Inversor de IGBT
Valores avaliados do máximo
| tenso do Coletor-emissor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corrente de coletor contínua da C.C. | TC = 80°C, Tvj máximo = 175°C | Nom de IC | 1200 | A |
| Corrente de coletor máxima repetitiva | tP = 1 Senhora | ICRM | 2400 | A |
| tenso máxima do Porta-emissor | VGES | +/--20 | V |
Tipo do Min. dos valores característicos. máximo.
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C | VCE sentado | 1,70 2,00 2,15 | 2,15 2,45 2,60 | VVV | |
| Tenso do ponto inicial da porta | IC = 33,0 miliampères, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,25 | 5,80 | 6,35 | V |
| Carga da porta | VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V | QG | 5,75 | µC | ||
| Resistor interno da porta | Tvj = 25°C | RGint | 0,75 | Ω | ||
| Capacidade da entrada | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 65,5 | N-F | ||
| Capacidade reversa de transferência | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 2,60 | N-F | ||
| corrente da interrupço do Coletor-emissor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | CONGELA | 5,0 | miliampère | ||
| corrente do escapamento do Porta-emissor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| Tempo de atraso de ligaço, carga indutiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C | TD sobre | 0,20 0,23 0,25 | µs µs µs | ||
| Tempo de elevaço, carga indutiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C | tr | 0,16 0,17 0,18 | µs µs µs | ||
| Tempo de atraso da volta-fora, carga indutiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C | TD fora | 0,48 0,52 0,55 | µs µs µs | ||
| Tempo de queda, carga indutiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C | tf | 0,08 0,11 0,13 | µs µs µs | ||
| Perda de energia de ligaço pelo pulso | IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C | Eternidade | 80,0 120 160 | mJ mJ mJ | ||
| Perda de energia da volta-fora pelo pulso | IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C | Eoff | 130 160 180 | mJ mJ mJ | ||
| Dados do SC | ≤ 15 V DE VGE, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE ·µs do ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C | ISC | 4000 | A | ||
| Resistência térmica, junço ao caso | IGBT/per IGBT | RthJC | 28,7 | K/kW | ||
| Resistência térmica, caso ao dissipador de calor | IGBT/per IGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) | RthCH | 22,1 | K/kW | ||
| Temperatura sob circunstncias do interruptor | Tvj op | -40 | 175 | °C |
Módulo automotivo de Infineon IGBT, conversores FF1200R12IE5 do módulo do poder superior IGBT
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