1200V série C dupla da movimentação de poder 62mm do módulo FF200R12KT4 da ponte do inversor IGBT meia
Número de modelo:FF200R12KT4
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1 conjunto
Termos do pagamento:T/T.
Capacidade da fonte:1000sets
Tempo de entrega:25 dias após ter assinado o contrato
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Shenzhen Guangdong China
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P 27, bloco B, Duhui 100, Zhonghang Road, no distrito de Futian, Shenzhen, China
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série C da metade-ponte 62mm 1200 V, módulo de movimentaço duplo do poder dos módulos FF200R12KT4 do inversor IGBT
Valores avaliados do máximo
| tenso do Coletor-emissor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corrente de coletor contínua da C.C. | TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C | Nom de IC IC | 200 320 | A A |
| Corrente de coletor máxima repetitiva | tP = 1 Senhora | ICRM | 400 | A |
| Dissipaço de poder total | TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C | Ptot | 1100 | W |
| tenso máxima do Porta-emissor | VGES | +/--20 | V |
Valores característicos
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C | VCE sentado | 1,75 2,05 2,10 | 2,15 | V VV | |
| Tenso do ponto inicial da porta | IC = 7,60 miliampères, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Carga da porta | VGE = -15 V… +15 V | QG | 1,80 | µC | ||
| Resistor interno da porta | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
| Capacidade da entrada | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 14,0 | N-F | ||
| Capacidade reversa de transferência | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,50 | N-F | ||
| corrente da interrupço do Coletor-emissor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | CONGELA | 5,0 | miliampère | ||
| corrente do escapamento do Porta-emissor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| Tempo de atraso de ligaço, carga indutiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | TD sobre | 0,16 0,17 0,18 | µs µs µs | ||
| Tempo de elevaço, carga indutiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | tr | 0.045 0,04 0,50 | µs µs µs | ||
| Tempo de atraso da volta-fora, carga indutiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | TD fora | 0,45 0,52 0,54 | µs µs µs | ||
| Tempo de queda, carga indutiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | tf | 0,10 0,16 0,16 | µs µs µs | ||
| Perda de energia de ligaço pelo pulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | Eternidade | 10,0 15,0 17,0 | 19,0 30,0 36,0 | ||
| Perda de energia da volta-fora pelo pulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C | Eoff | 14,0 20,0 23,0 | mJ mJ mJ | ||
| Dados do SC | ≤ 15 V DE VGE, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE ·µs do ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C | ISC | 800 | mJ mJ mJ | ||
| Resistência térmica, junço ao caso | IGBT/por IGBT | RthJC | 0.135 | K/W | ||
| Resistência térmica, dissipador de calor do caseto | CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 com (m·K)/λgrease = 1 com (m·K) | RthCH | 0.034 | K/W | ||
| Temperatura sob circunstncias do interruptor | Tvj op | -40 | 150 | °C |
1200V série C dupla da movimentação de poder 62mm do módulo FF200R12KT4 da ponte do inversor IGBT meia
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