O módulo de poder FF50R12RT4 de Infineon IGBT 34mm 1200V Dual IGBT com trincheira rápida/Fieldstop
Número de modelo:FF50R12RT4
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1 conjunto
Termos do pagamento:T/T.
Capacidade da fonte:1000sets
Tempo de entrega:25 dias após ter assinado o contrato
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
P 27, bloco B, Duhui 100, Zhonghang Road, no distrito de Futian, Shenzhen, China
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Infineon FF50R12RT4 34 milímetros conhecidos 1200V dual os módulos de IGBT com trincheira/fieldstop IGBT4 e o emissor rápidos controlado
Aplicações típicas
• Conversores de poder superior
• Movimentações do motor
• Sistemas de UPS
Características elétricas
• Temperatura prolongada Tvj da operaço op
• Baixas perdas do interruptor
• Baixo VCEsat
• Tvj op = 150°C
• VCEsat com coeficiente de temperatura positivo
Características mecnicas
• Placa de base isolada
• Alojamento padro
IGBT, inversor
Valores avaliados do máximo
| tenso do Coletor-emissor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corrente de coletor contínua da C.C. | TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C | Nom de IC | 50 | A |
| Corrente de coletor máxima repetitiva | tP = 1 Senhora | ICRM | 100 | A |
| Dissipaço de poder total | TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C | Ptot | 285 | W |
| tenso máxima do Porta-emissor | VGES | +/--20 | V |
Valores característicos
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C | VCE sentado | 1,85 2,15 2,25 | 2,15 | V VV | |
| Tenso do ponto inicial da porta | IC = 1,60 miliampères, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Carga da porta | VGE = -15 V… +15 V | QG | 0,38 | µC | ||
| Resistor interno da porta | Tvj = 25°C | RGint | 4,0 | Ω | ||
| Capacidade da entrada | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 2,80 | N-F | ||
| Capacidade reversa de transferência | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,10 | N-F | ||
| corrente da interrupço do Coletor-emissor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | CONGELA | 1,0 | miliampère | ||
| corrente do escapamento do Porta-emissor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 100 | nA | ||
| Tempo de atraso de ligaço, carga indutiva | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | TD sobre | 0,13 0,15 0,15 | µs µs µs | ||
| Tempo de elevaço, carga indutiva | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | tr | 0,02 0,03 0.035 | µs µs µs | ||
| Tempo de atraso da volta-fora, carga indutiva | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | TD fora | 0,30 0,38 0,40 | µs µs µs | ||
| Tempo de queda, carga indutiva | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | tf | 0.045 0,08 0,09 | µs µs µs | ||
| Perda de energia de ligaço pelo pulso | IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | Eternidade | 4,50 6,50 7,50 | 19,0 30,0 36,0 | ||
| Perda de energia da volta-fora pelo pulso | IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | Eoff | 2,50 4,00 4,50 | mJ mJ mJ | ||
| Dados do SC | ≤ 15 V DE VGE, VCC = 800 V VCEmax = VCES - LsCE ·µs do ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C | ISC | 180 | mJ mJ mJ | ||
| Resistência térmica, junço ao caso | IGBT/por IGBT | RthJC | 0,53 | K/W | ||
| Resistência térmica, dissipador de calor do caseto | CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 com (m·K)/λgrease = 1 com (m·K) | RthCH | 0.082 | K/W | ||
| Temperatura sob circunstncias do interruptor | Tvj op | -40 | 150 | °C |
O módulo de poder FF50R12RT4 de Infineon IGBT 34mm 1200V Dual IGBT com trincheira rápida/Fieldstop
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