Diodo de Schottky da eficiência elevada da perda de baixa potência para a fonte de alimentação de alta frequência do interruptor

Number modelo:Diodos Schottky
Lugar de origem:Dongguan China
Quantidade de ordem mínima:negociação
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:2000000 pelo mês
Prazo de entrega:negociação
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Fornecedor verificado
Dongguan Guangdong China
Endereço: Sala 810, unidade 2, construção 5, shopping de Huixing, estrada No.1 de Dongsheng, dong de Zhongshan, cidade Dongguan de Shilong, GUANGDONG, NC 523326
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Diodo Schottky de baixa perda de energia e alta eficiência para fonte de alimentaço de comutaço de alta frequência

MBR10100.pdf


O diodo Schottky recebeu o nome de seu inventor, Dr. Schottky (Schottky), e SBD é a abreviaço de Schottky Barrier Diode (Diodo de Barreira Schottky, abreviado como SBD).O SBD no é feito pelo princípio de contato do semicondutor do tipo P e do semicondutor do tipo N para formar a junço PN, mas usando o princípio da junço metal-semicondutor formada pelo contato do metal e do semicondutor.Portanto, o SBD também é chamado de diodo de metal semicondutor (contato) ou diodo de barreira de superfície, que é um tipo de diodo portador quente.


Características

1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junço operacional
4. Anel de proteço para proteço contra sobretenso, alta confiabilidade
5. Produto RoHS

Formulários

1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentaço

2. Diodos de roda livre, aplicações de proteço de polaridade

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS

SE(AV)

10(2×5)A

VF(max)

0,7V (@Tj=125°C)

Tj

175°C

VRRM

100 V

MENSAGEM DO PRODUTO

Modelo

marcaço

Pacote

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

TO-263

MBR10100R

MBR10100R

TO-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)

Parmetro


Símbolo


Valor


Unidade

Tenso reversa de pico repetitivo

VRRM

100

V

Tenso máxima de bloqueio DC

VDC

100

V

Corrente direta média

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)


por dispositivo


por diodo

SE(AV)

10 5

A


Surto de corrente direta no repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC)

IFSM

120

A

Temperatura máxima de junço

Tj

175

°C

Amplitude Térmica de armazenamento

TSTG

-40~+150

°C


China Diodo de Schottky da eficiência elevada da perda de baixa potência para a fonte de alimentação de alta frequência do interruptor supplier

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