

Add to Cart
Diodo Schottky de estrutura de cátodo comum para aplicações de
proteço de polaridade
MBR10200.pdf
Um diodo Schottky é um dispositivo semicondutor de metal feito de
um metal nobre (ouro, prata, alumínio, platina, etc.) A como
eletrodo positivo e um semicondutor tipo N B como eletrodo
negativo, e a barreira de potencial formada no superfície de
contato dos dois tem características de retificaço.Como há um
grande número de elétrons no semicondutor do tipo N e apenas uma
pequena quantidade de elétrons livres no metal nobre, os elétrons
se difundem de B com alta concentraço para A com baixa
concentraço.Obviamente, no há buracos no metal A e no há difuso de
buracos de A para B. medida que os elétrons continuam a se difundir
de B para A, a concentraço de elétrons na superfície de B diminui
gradualmente e a neutralidade elétrica da superfície é destruída ,
formando assim uma barreira de potencial, e sua direço de campo
elétrico é B→A.No entanto, sob a aço do campo elétrico, os elétrons
em A também produziro um movimento de deriva de A → B,
enfraquecendo assim o campo elétrico formado devido ao movimento de
difuso.Quando uma regio espacial de cargas de certa largura é
estabelecida, o movimento de deriva de elétrons causado pelo campo
elétrico e o movimento de difuso de elétrons causado por diferentes
concentrações atingem um equilíbrio relativo, formando uma barreira
de Schottky.
Características
1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junço operacional
4. Anel de proteço para proteço contra sobretenso, alta
confiabilidade
5. Produto RoHS
Formulários
1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentaço
2. Diodos de roda livre, aplicações de proteço de polaridade
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
SE(AV) | 10(2×5)A |
VF(max) | 0,7V (@Tj=125°C) |
Tj | 175°C |
VRRM | 100 V |
MENSAGEM DO PRODUTO
Modelo | marcaço | Pacote |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | TO-263 |
MBR10100R | MBR10100R | TO-252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade | ||
Tenso reversa de pico repetitivo | VRRM | 100 | V | ||
Tenso máxima de bloqueio DC | VDC | 100 | V | ||
Corrente direta média | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | por dispositivo por diodo | SE(AV) | 10 5 | A |
Surto de corrente direta no repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC) | IFSM | 120 | A | ||
Temperatura máxima de junço | Tj | 175 | °C | ||
Amplitude Térmica de armazenamento | TSTG | -40~+150 | °C |