Diodo comum de Schottky da estrutura do cátodo para aplicações da proteção da polaridade

Number modelo:MBR10200
Lugar de origem:Dongguan China
Quantidade de ordem mínima:negociação
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:2000000 pelo mês
Prazo de entrega:negociação
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Dongguan Guangdong China
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Diodo Schottky de estrutura de cátodo comum para aplicações de proteço de polaridade

MBR10200.pdf


Um diodo Schottky é um dispositivo semicondutor de metal feito de um metal nobre (ouro, prata, alumínio, platina, etc.) A como eletrodo positivo e um semicondutor tipo N B como eletrodo negativo, e a barreira de potencial formada no superfície de contato dos dois tem características de retificaço.Como há um grande número de elétrons no semicondutor do tipo N e apenas uma pequena quantidade de elétrons livres no metal nobre, os elétrons se difundem de B com alta concentraço para A com baixa concentraço.Obviamente, no há buracos no metal A e no há difuso de buracos de A para B. medida que os elétrons continuam a se difundir de B para A, a concentraço de elétrons na superfície de B diminui gradualmente e a neutralidade elétrica da superfície é destruída , formando assim uma barreira de potencial, e sua direço de campo elétrico é B→A.No entanto, sob a aço do campo elétrico, os elétrons em A também produziro um movimento de deriva de A → B, enfraquecendo assim o campo elétrico formado devido ao movimento de difuso.Quando uma regio espacial de cargas de certa largura é estabelecida, o movimento de deriva de elétrons causado pelo campo elétrico e o movimento de difuso de elétrons causado por diferentes concentrações atingem um equilíbrio relativo, formando uma barreira de Schottky.


Características

1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junço operacional
4. Anel de proteço para proteço contra sobretenso, alta confiabilidade
5. Produto RoHS

Formulários

1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentaço

2. Diodos de roda livre, aplicações de proteço de polaridade

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS

SE(AV)

10(2×5)A

VF(max)

0,7V (@Tj=125°C)

Tj

175°C

VRRM

100 V

MENSAGEM DO PRODUTO

Modelo

marcaço

Pacote

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

TO-263

MBR10100R

MBR10100R

TO-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)

Parmetro


Símbolo


Valor


Unidade

Tenso reversa de pico repetitivo

VRRM

100

V

Tenso máxima de bloqueio DC

VDC

100

V

Corrente direta média

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)


por dispositivo


por diodo

SE(AV)

10 5

A


Surto de corrente direta no repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC)

IFSM

120

A

Temperatura máxima de junço

Tj

175

°C

Amplitude Térmica de armazenamento

TSTG

-40~+150

°C


China Diodo comum de Schottky da estrutura do cátodo para aplicações da proteção da polaridade supplier

Diodo comum de Schottky da estrutura do cátodo para aplicações da proteção da polaridade

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