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Anel de guarda para proteço contra sobretenso Diodo Schottky com
RoHS
Vantagem
O SBD tem as vantagens de alta frequência de comutaço e baixa tenso
direta, mas sua tenso de ruptura reversa é relativamente baixa,
geralmente no superior a 60V, e a mais alta é de apenas cerca de
100V, o que limita sua faixa de aplicaço.Como diodos de roda livre
de dispositivos de comutaço de energia em circuitos de fonte de
alimentaço de comutaço (SMPS) e correço de fator de potência (PFC),
diodos retificadores de alta frequência acima de 100 V para
transformador secundário, diodos de alta velocidade de 600 V ~ 1,2
kV em circuitos de amortecimento RCD e Para diodos de 600 V usados
no aumento de PFC, apenas diodos epitaxiais de recuperaço rápida
(FRED) e diodos de recuperaço ultrarrápida (UFRD) so usados.O tempo
de recuperaço reversa Trr do UFRD também é superior a 20ns, o que
no pode atender s necessidades de 1MHz ~ 3MHz SMPS em campos como
estações espaciais.Mesmo para um SMPS com comutaço difícil em
100kHz, devido grande perda de conduço e perda de comutaço de UFRD,
a temperatura do gabinete é alta e é necessário um grande
dissipador de calor, o que aumenta o tamanho e o peso do SMPS, que
no atende os requisitos de miniaturizaço e desbaste.tendência de
desenvolvimento.Portanto, o desenvolvimento de SBDs de alta tenso
acima de 100V sempre foi um tema de pesquisa e foco de atenço.Nos
últimos anos, o SBD fez progressos inovadores, SBDs de alta tenso
de 150V e 200V foram listados e o SBD de mais de 1kV feito de novos
materiais também foi desenvolvido com sucesso, injetando assim nova
vitalidade e vitalidade em sua aplicaço.
Características
1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junço operacional
4. Anel de proteço para proteço contra sobretenso, alta
confiabilidade
5. Produto RoHS
Formulários
1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentaço
2. Diodos de roda livre, aplicações de proteço de polaridade
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
SE(AV) | 10(2×5)A |
VF(max) | 0,7V (@Tj=125°C) |
Tj | 175°C |
VRRM | 100 V |
MENSAGEM DO PRODUTO
Modelo | marcaço | Pacote |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | TO-263 |
MBR10100R | MBR10100R | TO-252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade | ||
Tenso reversa de pico repetitivo | VRRM | 100 | V | ||
Tenso máxima de bloqueio DC | VDC | 100 | V | ||
Corrente direta média | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | por dispositivo por diodo | SE(AV) | 10 5 | A |
Surto de corrente direta no repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC) | IFSM | 120 | A | ||
Temperatura máxima de junço | Tj | 175 | °C | ||
Amplitude Térmica de armazenamento | TSTG | -40~+150 | °C |