

Add to Cart
Forte capacidade de suportar picos atuais de diodos Schottky de
alta frequência de comutaço
MBR20200.pdf
Características do diodo Schottky
1. Alta resistência corrente: pode suportar alta corrente de pico.
2. Baixa tenso suportável reversa: a tenso suportável reversa geral
do tubo Schottky é geralmente abaixo de 200V, geralmente em torno
de 100V, o que limita o uso de
3. Resistência a altas temperaturas: a temperatura de junço mais
alta dos tubos Schottky comuns no mercado é de 100°C, 125°C, 150% e
175°C (quanto maior a temperatura de junço, melhor a resistência a
altas temperaturas do produto. Ou seja, a temperatura na qual o
produto funciona (o seguinte no causará falha).
4. Queda de tenso direta: A queda de tenso direta do diodo Schottky
é muito menor do que a do diodo de recuperaço rápida, portanto, seu
próprio consumo de energia é pequeno e a eficiência é alta.
5. Resistência a altas temperaturas: a temperatura de junço mais
alta dos tubos Schottky comuns no mercado é de 100°C, 125°C, 150% e
175°C (quanto maior a temperatura de junço, melhor a resistência a
altas temperaturas do produto. Ou seja, a temperatura na qual o
produto funciona (o seguinte no causará falha).
Características
1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junço operacional
4. Anel de proteço para proteço contra sobretenso, alta
confiabilidade
5. Produto RoHS
Formulários
1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentaço
2. Diodos de roda livre, aplicações de proteço de polaridade
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
SE(AV) | 10(2×5)A |
VF(max) | 0,7V (@Tj=125°C) |
Tj | 175°C |
VRRM | 100 V |
MENSAGEM DO PRODUTO
Modelo | marcaço | Pacote |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | TO-263 |
MBR10100R | MBR10100R | TO-252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade | ||
Tenso reversa de pico repetitivo | VRRM | 100 | V | ||
Tenso máxima de bloqueio DC | VDC | 100 | V | ||
Corrente direta média | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | por dispositivo por diodo | SE(AV) | 10 5 | A |
Surto de corrente direta no repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC) | IFSM | 120 | A | ||
Temperatura máxima de junço | Tj | 175 | °C | ||
Amplitude Térmica de armazenamento | TSTG | -40~+150 | °C |