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Diodos Schottky de baixa perda de energia Alta frequência de
comutaço para diodos de roda livre
MBR20200F.pdf
Diodo Schottky O diodo Schottky, também conhecido como diodo de barreira Schottky (SBD para abreviar), é um dispositivo semicondutor de baixa potência e velocidade ultra-alta.A característica mais notável é que o tempo de recuperaço reversa é extremamente curto (pode ser to pequeno quanto alguns nanossegundos) e a queda de tenso direta é de apenas cerca de 0,4 V.É usado principalmente como diodos retificadores de alta frequência, baixa tenso e alta corrente, diodos de roda livre e diodos de proteço.Também é útil como diodos retificadores e diodos detectores de pequenos sinais em circuitos de comunicaço de micro-ondas.É mais comum em fontes de alimentaço de comunicaço, conversores de frequência, etc.
Uma aplicaço típica é no circuito de comutaço do transistor bipolar BJT, conectando o diodo Shockley ao BJT para pinçar, de modo que o transistor esteja realmente próximo do estado desligado quando estiver no estado ligado, aumentando assim a velocidade de comutaço do o transistor.Este método é a técnica usada nos circuitos internos TTL de ICs digitais típicos, como 74LS, 74ALS, 74AS, etc.
A maior característica dos diodos Schottky é que a queda de tenso direta VF é relativamente pequena.No caso da mesma corrente, sua queda de tenso direta é bem menor.Além disso, tem um curto tempo de recuperaço.Ele também tem algumas desvantagens: a tenso suportável é relativamente baixa e a corrente de fuga é um pouco maior.Deve ser considerado de forma abrangente ao escolher.
Características
1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junço operacional
4. Anel de proteço para proteço contra sobretenso, alta
confiabilidade
5. Produto RoHS
Formulários
1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentaço
2. Diodos de roda livre, aplicações de proteço de polaridade
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
SE(AV) | 10(2×5)A |
VF(max) | 0,7V (@Tj=125°C) |
Tj | 175°C |
VRRM | 100 V |
MENSAGEM DO PRODUTO
Modelo | marcaço | Pacote |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | TO-263 |
MBR10100R | MBR10100R | TO-252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade | ||
Tenso reversa de pico repetitivo | VRRM | 100 | V | ||
Tenso máxima de bloqueio DC | VDC | 100 | V | ||
Corrente direta média | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | por dispositivo por diodo | SE(AV) | 10 5 | A |
Surto de corrente direta no repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC) | IFSM | 120 | A | ||
Temperatura máxima de junço | Tj | 175 | °C | ||
Amplitude Térmica de armazenamento | TSTG | -40~+150 | °C |