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Diodos Schottky de baixa perda de energia Alta eficiência Alta
resistência corrente
MBR30100.pdf
O diodo Schottky é um diodo de reparo rápido, que é um componente semicondutor rápido de consumo de energia.Suas características óbvias so que o tempo de recuperaço reversa é muito curto (pode ser to pequeno quanto alguns nanossegundos) e a queda de presso direta é de apenas cerca de 0,4 V.Os diodos Schottky so usados principalmente como diodos retificadores de alta frequência, baixa tenso e alta corrente, diodos de roda livre e diodos de manutenço.Eles também so efetivamente usados como diodos retificadores e pequenos diodos de detecço de sinal de dados em circuitos de energia, como comunicações de fibra óptica.É comumente usado na retificaço da fonte de alimentaço de comutaço secundária e na retificaço da fonte de alimentaço de alta tenso da TV em cores.O diodo Schottky usa a junço metal-semicondutor como a barreira Schottky para alcançar o efeito real de retificaço, que é diferente da junço PN formada pela junço semicondutor-semicondutor em diodos em geral.As características da barreira Schottky tornam a corrente on-off do diodo Schottky mais baixa e podem aumentar a taxa de converso.Os diodos Schottky têm uma tenso operacional on-off extremamente baixa.Um diodo geral gerará uma corrente de cerca de 0,7-1,7 amperes quando a corrente passar por ele, mas a corrente do diodo Schottky é de apenas 0,15-0,45 amperes, o que pode melhorar a eficiência do sistema.
Características
1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junço operacional
4. Anel de proteço para proteço contra sobretenso, alta
confiabilidade
5. Produto RoHS
Formulários
1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentaço
2. Diodos de roda livre, aplicações de proteço de polaridade
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
SE(AV) | 10(2×5)A |
VF(max) | 0,7V (@Tj=125°C) |
Tj | 175°C |
VRRM | 100 V |
MENSAGEM DO PRODUTO
Modelo | marcaço | Pacote |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | TO-263 |
MBR10100R | MBR10100R | TO-252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade | ||
Tenso reversa de pico repetitivo | VRRM | 100 | V | ||
Tenso máxima de bloqueio DC | VDC | 100 | V | ||
Corrente direta média | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | por dispositivo por diodo | SE(AV) | 10 5 | A |
Surto de corrente direta no repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC) | IFSM | 120 | A | ||
Temperatura máxima de junço | Tj | 175 | °C | ||
Amplitude Térmica de armazenamento | TSTG | -40~+150 | °C |