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Equipamento de aquecimento de alta frequência da induço
Princípio de aquecimento de induço
O princípio de aquecimento de induço de alta frequência é aquele para aplicar a corrente alternada de alta frequência a uma conduta que seja ondulada ao cíclico (tubo normalmente de cobre) para produzir o fluxo, pôs ento o metal a esta área para fazer o fluxo para correr com ele, e a corrente de redemoinho será gerada na direço da auto-captura com fluxo (corrente giratória), a corrente induzida gera ento o calor sob a influência da corrente de redemoinho, assim que este método de aquecimento é chamado aquecimento de induço. Daqui, o metal e outros objetos sob aquecido podem ser aquecidos sem contato. Neste momento, o caráter da corrente de redemoinho confia naquele que o aquecimento de induço no objeto próximo a bobina é externamente forte mas internamente fraco. com este princípio. Este corpo de aquecimento pode ser caloroso concentrado onde necessário conseguir imediatamente o efeito, desse modo a saída da produço e a capacidade de trabalho ambos é melhorada.
Vantagem do aquecimento de induço
O aquecimento de induço pode aquecer o metal a toda a determinada temperatura que inclui o ponto da fundiço.
O aquecimento de induço faz no como o outro método de aquecimento tradicional normal; pode produzir o calor diretamente do metal próprio.
O aquecimento de induço pode aquecer o metal inteiro; igualmente pode aquecer uma determinada parte do metal.
O aquecimento de induço pode salvar o consumo de potência do que o outro método de aquecimento elétrico tradicional.
Aplicaço do aquecimento de induço
Tratamento térmico: metal que recoze, extinguindo, endurecendo-se, forjando, moderando, etc.
Formaço quente: laminagem a quente, virada do calor, martelamento quente, etc.
Soldadura: o metal que solda, soldadura da ferramenta do cortador, viu a soldadura do bocado, o material da tubulaço que soldam, o metal diferente que soldam, etc.
Fundiço: fundiço material do ouro, da prata, do cobre, do ferro, a de alumínio, etc.
A outra aplicaço: ajuste do psiquiatra, crescimento de cristal do semicondutor único, calor - selagem, etc.