GaN Templates 2 & 4 polegadas
Lugar de origem:China
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Chongqing Chongqing China
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Block 4, No. 5, Torch Ave, Jiulongpo District, Chongqing,400080 China
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
2 polegadas GaN Templates:
Dimensões: ± 0.1mm de Ф 50.8mm
Espessura: 4 µm, µm 20; µm 4
Orientaço: ± 0.5° do C-plano (0001)
Tipo da conduço: N-tipo (Undoped); N-tipo (Si-lubrificado); P-tipo
(MG-lubrificado)
Resistividade (300K): < 0,5 Ω·cm; < 0,05 Ω·cm; ~ 10 Ω·cm
Concentraço de portador: < 5x1017 cm-3; > 1x1018 cm-3; >
6x1016 cm-3
Mobilidade: ~ 300cm2/V·s; ~ 200 cm2/V·s; ~ 10 cm2/V·s
Densidade de deslocaço: Menos do que os cm2 5x108
Estrutura da carcaça: GaN na safira (padro: Opço de SSP: DSP)
Área de superfície útil: > 90%
4 polegadas GaN Templates:
Dimensões: ± 0.1mm de Ф 50.8mm
Espessura: 4 µm, µm 20; µm 4
Orientaço: ± 0.5° do C-plano (0001)
Tipo da conduço: N-tipo (Undoped); N-tipo (Si-lubrificado); P-tipo
(MG-lubrificado)
Resistividade (300K): < 0,5 Ω·cm; < 0,05 Ω·cm: ~ 10 Ω·cm
Concentraço de portador: < 5x1017 cm-3; > 1x1018 cm-3; >
6x1016 cm-3
Mobilidade: ~ 300cm2/V·s; ~ 200 cm2/V·s; ~ 10 cm2/V·s
Densidade de deslocaço: Menos do que os cm2 5x108
Estrutura da carcaça: GaN na safira (padro: Opço de SSP: DSP)
Área de superfície útil: > 90%
GaN Templates 2 & 4 polegadas
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