GaN Substrates autônomo
Lugar de origem:China
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Chongqing Chongqing China
Endereço:
Block 4, No. 5, Torch Ave, Jiulongpo District, Chongqing,400080 China
Fornecedor do último login vezes:
No 45 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
2 polegadas GaN Substrates autônomo
Dimensões: Ф 50,8 milímetros de ± 1 milímetro
Espessura: 350 µm do ± 25
Área de superfície útil: > 90%
Orientaço: C-plano (0001) fora do ngulo para a M-linha central
0.35°± 0.15°
Plano da orientaço: ± 0.5° (de 1-100), ± 16,0 1,0 milímetros
Plano secundário da orientaço: ± 3° (de 11-20), ± 8,0 1,0
milímetros
Variaço total da espessura: µm do ≤ 15
CURVA: µm do ≤ 20
Tipo da conduço: N-tipo (Undoped); N-tipo (GE-lubrificado);
Semi-isolamento (Fe-lubrificado)
Resistividade (300K): < 0,5 Ω·cm; < 0,05 Ω·cm; >106 Ω·cm
Densidade de deslocaço: cm2 1~9x105; cm2 5x105; cm2 ~3x106
cm2 1~9x105; cm2 1~3x106; cm2 1~3x106
Polonês: Front Surface: Ra < 0,2 nanômetros. Epi-pronto lustrado
Superfície traseira: Terra fina
GaN Substrates autônomo
Inquiry Cart
0