Os dispositivos electrónicos e os circuitos integrados 3V LVDS escolhem a microplaqueta de IC do amplificador

Número de modelo:DS90LV011AFMFX-NOPB
Lugar de origem:Malásia
Quantidade de ordem mínima:100UD
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8200PCS
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Os dispositivos electrónicos e os circuitos integrados 3V LVDS escolhem a microplaqueta de IC do amplificador

 

 

Descriço geral

  O DS90LV011A é um único dispositivo do motorista de LVDS aperfeiçoado para aplicações altas da taxa e da baixa potência de dados. O DS90LV011A é um motorista atual do modo permitindo que a dissipaço de poder permaneça baixo mesmo na alta freqência. Além, a corrente de falha procurar um caminho mais curto é minimizada igualmente. O dispositivo é projetado apoiar taxas de dados além de 400Mbps (200MHz) que utiliza a tecnologia de sinalizaço diferencial de (LVDS) da baixa tenso. O dispositivo está em um pacote pequeno do transistor do esboço de 5 ligações e em um pacote LLP-8 novo com um tamanho de corpo de 3mm x de 3mm. As saídas de LVDS foram arranjadas para a disposiço fácil do PWB. As saídas diferenciais do motorista fornecem o baixo IEM seu baixo balanço típico da saída de 350 milivolt. O DS90LV011A pode ser emparelhado com sua única linha receptor do companheiro, o DS90LV012A, ou com os alguns de receptores do LVDS do nacional, para fornecer uma relaço de alta velocidade de LVDS.

 

 

Características

n conforma-se s taxas padro do interruptor de TIA/EIA-644-A n >400Mbps (200MHz)

n enviesamento máximo de um diferencial de 700 picosegundos (100 picosegundos típico)

atraso de propagaço máximo de n 1,5 ns

fonte de alimentaço 3.3V de n única

sinalizaço diferencial de n ±350 milivolt

proteço do sem energia de n (saídas no TRI ESTADO)

n Pinout simplifica a disposiço do PWB

dissipaço de baixa potência de n (23 mW @ 3.3V típicos)

pacote da ligaço de n SOT-23 5

pacote LLP-8 sem chumbo de n (tamanho de corpo de 3x3 milímetro)

pino da verso de n SOT-23 compatível com SN65LVDS1

n fabricado com tecnologia de processamento avançada do CMOS

escala de funcionamento industrial da temperatura de n (−40˚C a +85˚C)

 

Diagramas de conexo

  Avaliações máximas absolutas (nota 1)

Se as forças armadas/espaço aéreo especificaram os dispositivos so exigidos, contactam por favor os distribuidores nacionais do escritório de vendas do semicondutor para a disponibilidade e as especificações.

 

Tenso de fonte (VDD) −0.3V a +4V

Tenso de entrada de LVCMOS (TTL DENTRO) −0.3V a +3.6V

LVDS output a tenso (OUT±) −0.3V a +3.9V

A saída de LVDS procura um caminho mais curto a dissipaço de poder máxima atual @ +25˚C do pacote 24mA

O pacote 2,26 W de LDA Derate o pacote 18,1 mW/˚C de LDA acima do pacote 902 que da resistência térmica de +25˚C (θJA) 55.3˚C/Watt MF o mW Derate o pacote 7,22 mW/˚C do MF acima da temperatura de armazenamento 138.5˚C/Watt −65˚C da resistência térmica de +25˚C (θJA) a +150˚C

 

 

 

 

 

 

Condições de funcionamento recomendadas

 Minuto TipoMáximo Unidades
Tenso de fonte (VDD)3,03,3 3,6V
Temperatura (Ta−40 +25 +85˚C

 

 

Características do interruptor (continuadas)

Nota 1: “As avaliações máximas absolutas” so aqueles valores além de que a segurança do dispositivo no pode ser garantida. No so significados implicar que os dispositivos devem ser operados nestes limites. A tabela “de características elétricas” especifica condições da operaço do dispositivo.

Nota 2: A corrente nos pinos do dispositivo é definida como o positivo. A corrente fora dos pinos do dispositivo é definida como o negativo. Todas as tensões so providas para moer exceto VOD.

Nota 3: Todos os typicals so dados para: VDD = +3.3V e Ta = +25˚C.

Nota 4: A saída procura um caminho mais curto a corrente (IOS) é especificada como o valor somente, menos o sinal indica o sentido somente.

Nota 5: Estes parmetros so garantidos pelo projeto. Os limites so baseados na análise estatística do desempenho do dispositivo sobre escalas de PVT (processo, tenso, temperatura).

Nota 6: O CL inclui a capacidade da ponta de prova e do dispositivo elétrico.

Nota 7: Forma de onda do gerador para todos os testes salvo disposiço em contrário: f = 1 megahertz, ZO = 50Ω, ≤ 1 ns do tr, ≤ 1 ns do tf (10%-90%).

Nota 8: O DS90LV011A é um dispositivo e somente uma funço atuais do modo com especificaço da folha de dados quando uma carga resistive é aplicada s saídas dos motoristas.

Nota 9: tSKD1, |tPLHD do − do tPHLD|, é a diferença do valor no tempo de atraso diferencial da propagaço entre a borda indo positiva e a borda indo negativa do mesmo canal. Nota 10: tSKD3, peça diferencial ao enviesamento da parte, é definido como a diferença entre o mínimo e os atrasos de propagaço diferenciais especificados máximo. Esta especificaço aplica-se aos dispositivos no mesmo VDD e dentro de 5˚C de se dentro da variaço da temperatura de funcionamento. Nota 11: tSKD4, peça ao enviesamento da parte, é o canal diferencial para canalizar o enviesamento de todo o evento entre dispositivos. Esta especificaço aplica-se aos dispositivos sobre escalas recomendadas da temperatura e da tenso de funcionamento, e através da distribuiço do processo. tSKD4 é definido como |Minuto máximo do −| atraso de propagaço diferencial. Nota 12: condições da entrada do gerador do fMAX: tr = tf < 1="" ns=""> 250mV. O parmetro é garantido pelo projeto. O limite é baseado na análise estatística do dispositivo sobre a escala de PVT nos tempos de transições (tTLH e tTHL).

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Os dispositivos electrónicos e os circuitos integrados 3V LVDS escolhem a microplaqueta de IC do amplificador

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