Os componentes eletrônicos originais 74HC585D de IC Dual E OU do CMOS da porta dispositivo

Número de modelo:74HC585D
Lugar de origem:Tailândia
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:2200pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Os componentes eletrônicos originais 74HC585D de IC Dual E OU do CMOS da porta dispositivo

 

 

74HC58 Dual porta de AND-OR

 

CARACTERÍSTICAS

• Capacidade da saída: padro

• Categoria ICC: SSI

 

 

DESCRIÇO GERAL

  O 74HC58 é um dispositivo de alta velocidade do CMOS da Si-porta e é pino compatível com baixa potência Schottky TTL (LSTTL). Especifica-se em conformidade com o padro no 7A de JEDEC.

 

  O “58" fornecem duas seções de portas de AND-OR. Uma seço contem uma 2 larga, porta entrada de 3 (1A a 1F) AND-OR e a segunda seço contem uma 2 larga, porta entrada de 2 (2A ao 2D) AND-OR.

 

DADOS DE REFERÊNCIA RÁPIDA

SÍMBOLOPARMETROCIRCUNSTNCIASHC TÍPICO UNIDADE
tPLH de tPHL/

atraso de propagaço  

1n a 1Y 

2n a 2Y 

CL = 15 PF;

VCC = 5 V

11 9

ns  

ns 

CIcapacidade da entrada  3,5PF
CPDcapacidade da dissipaço de poder pela portanotas 1 e 218PF

 

 

Notas

1. O CPD é usado para determinar a dissipaço de poder dinmica (paládio no µW): × do × VCC2 do paládio = do CPD fi + ∑ (× FO do × VCC2 do CL) onde: fi = freqência entrada no megahertz FO = freqência output no CL do megahertz = capacidade output da carga em PF VCC = tenso de fonte no ∑ de V (× FO do × VCC2 do CL) = soma das saídas

 

2. Para HC a circunstncia é VI = terra a VCC

 

 

 

 

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