Detalhes do produto
Placa de chip de computador do circuito do Mosfet FDS6676AS
Intregrated de Powertrench do canal de N
estoque do original dos componentes eletrônicos de PowerTrench FDS6676AS do N-Canal 30V
Descriço geral
O FDS6676AS é projetado substituir um únicos MOSFET SO-8 e diodo de
Schottky em síncrono
C.C.: Fontes de alimentaço de DC. Este MOSFET 30V é projetado
maximizar a eficiência de converso do poder, fornecendo um baixo
RDS (SOBRE) e a baixa carga da porta. O FDS6676AS inclui um diodo
integrado de Schottky usando a tecnologia monolítica do SyncFET de
Fairchild.
Aplicações
• Conversor de DC/DC
• Baixo caderno lateral
Características
• 14,5 A, 30 mΩ do max= 6,0 do V. RDS (SOBRE) @ VGS = 10 mΩ do max=
7,25 de V RDS (SOBRE) @ VGS = 4,5 V
• Inclui o diodo do corpo de SyncFET Schottky
• Baixa carga da porta (45nC típicos)
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente
- o baixo RDS (SOBRE) e o interruptor rápido
• Poder superior e capacidade de manipulaço atual
Avaliações máximas absolutas TA=25o C salvo disposiço em contrário
Símbolo | Parmetro | Avaliaço | Unidade |
VDSS | Tenso da Dreno-Fonte | 30 | V |
VGSS | Tenso da Porta-Fonte | ±20 | V |
Identificaço | Corrente do dreno – contínua (nota 1a)
– Pulsado | 14,5 | A |
50 |
Paládio | Dissipaço de poder para a única operaço (nota 1a)
(Nota 1b)
(Nota 1c) | 2,5 | W |
1,5 |
1 |
TJ, TSTG | Funcionamento e variaço da temperatura da junço do armazenamento | – 55 a +150 | °C |
Características térmicas
R doθJA | Resistência térmica, Junço--Ambiental (nota 1a) | 50 | W/°C |
R doθJC | Resistência térmica, Junço--Caso (nota 1) | 25 |
Marcaço do pacote e informaço pedindo
Marcaço do dispositivo | Dispositivo | Tamanho do carretel | Grave a largura | Quantidade |
FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12MM | 2500 unidades |
FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12MM | 2500 unidades |
Perfil da empresa
Anterwell era construço em 2004, naquele tempo nós apenas uma
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Por nossos grande esforço, melhor serviço, melhor qualidade e
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