Componentes de superfície BAT54C da eletrônica dos diodos do diodo de barreira CI de Schottky da montagem
Número de modelo:BAT54C
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3000pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:40000pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes:
No 25 Horas
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Detalhes do produto
Superfície BAT54C Mount Schottky diodo de barreira Ic Diodos Componentes Electrónicos
BAT54C SUPERFÍCIE MOUNT SCHOTTKY DIODO DE BARREIRA
Características
.Low Tenso de comutaço
. Troca rápida de
.pn Junço Guarda Anel de Transient
e Protecço ESD
dados mecnicos
Gabinete SOT-23, plástico moldado
Material da Caixa - UL flamabilidade Classificaço 94V-0
sensibilidade humidade: Nível 1 por J-STD-020A
Terminais: Solderable por MIL-STD-202, Método 208
Polaridade: Ver diagramas abaixo
Peso: 0,008 gramas (aprox.)
Marcaço Código: Ver diagramas abaixo
Informações sobre pedidos: Ver página 3
As classificações máximas @ Ta = 25 ℃ salvo indicaço em contrário
| Característica | Símbolo | Valor | Unidade |
| Pico repetitiva de tenso inversa de pico de operaço de tenso inversa Tenso CC Blocking | VRRM VRWM VR | 30 | V |
| Adiante Corrente Contínua (Nota 2) | E SE | 200 | mA |
| Avanço de pico repetitivo atual | IFRM | 300 | mA |
| Surge frente @ atual t <1.0s | IFSM | 600 | mA |
| Dissipaço de energia (Nota 2) | Pd | 200 | Mw |
| Resistência térmica, Junction a Ambient Air (Nota 2) | RJA | 500 | ℃ / W |
| Faixa de operaço e temperatura de armazenamento | Tj, TSTG | -65 A +125 | ℃ |
características elétricas
@ Ta = 25 ℃ salvo indicaço em contrário
| Característica | Símbolo | min | Typ | Max | Unidade | Condiço de teste |
| Tenso de ruptura reverso | V (BR) R | 30 | - | - | V | IRS = 100 A |
| Voltagem | VF | - | - | 240 320 400 500 1000 | mV | IF = 0,1 mA IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 30 mA IF = 100mA |
| Corrente de disperso reversa | Ir | - | - | 2.0 | UA | VR = 25V |
| capacitncia total | Cr | - | - | 10 | pF | VR = 1.0V, f = 1.0MHz |
| Tempo de recuperaço reversa | trr | - | - | 5 | nS | IF = 10 mA através IR = 10 mA para IR = 1.0mA RL = 100 |
Notas: 1. teste de pulso de curta duraço utilizado para minimizar os efeitos de auto-aquecimento.
2. Parte montado em FR-4 placa com layout de teclado recomendado, que pode ser encontrado em nosso site
Componentes de superfície BAT54C da eletrônica dos diodos do diodo de barreira CI de Schottky da montagem
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