Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal

Número de modelo:BSP315
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:6800PCS
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Detalhes do produto

Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal

 

 

• Canal de P

• Modo do realce                    

• Nível da lógica

• VGS (th) = -0,8… - 2,0 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tenso de diviso V da Dreno-fonte (BR) DSS = ƒ (Tj)

 

 

 

Impedncia térmica transiente Zth JA = parmetro do ƒ (tp): D = tp/T

 

 

 

 

 

Avaliações máximas

Parmetro Símbolo Valores Unidade
Drene a tenso da fonte VDS -50V

tenso da Dreno-porta

RGS = kΩ 20

VDGR-50
Tenso de fonte de portaVGS ± 20

Corrente contínua do dreno

Ta = °C 39

MIMD-1,1A

Corrente do dreno da C.C.,

pulsado Ta = °C 25

MimDpuls-4,4

Dissipaço de poder

Ta = °C 25

Pequeno de P1,8W

 

 

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Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal

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