600 tipo isolado do poder médio do soquete BCR20KM-12L do transistor do Pin de V 3
Número de modelo:BCR20KM-12L
Lugar de origem:Malásia
Quantidade de ordem mínima:20
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:5000
Tempo de entrega:1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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No 25 Horas
Detalhes do produto
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Detalhes do produto
600 V 3 Pin Transistor soquete BCR20KM-12L Energia Média tipo isolado
Transistor BCR20KM-12L Energia Média Utilizaço
Características
• TI (RMS): 20 A
• VDRM: 600 V
• IFGTI, IRGTI, IRGT: 30 mA (20 mA) Nota 5
• Viso: 2000 V
• Tipo de Duplas
• Planar Passivation Tipo
• UL Reconhecido: Carto Amarelo No. Arquivo E223904 No. E80271
Esboço
Aplicações Aspirador, aquecedor elétrico, luz dimmer, copiando máquina, e outros dispositivos de comando gerais
As classificações máximas
| Parmetro | Símbolo | classe de tenso 12 | Unidade |
| pico repetitiva em estado voltageNote1 | VDRM | 600 | V |
| pico no-repetitiva em estado voltageNote1 | VDSM | 720 | V |
| Parmetro | Símbolo | Classificaço | Unidade | Condiço |
| RMS no estado atual | TI (RMS) | 20 | UMA | frequência comercial, onda completa sine 360 ° de conduço, Tc = 85 ° C |
| Surge no estado atual | ITSM | 200 | UMA | 60Hz onda senoidal um ciclo completo, valor de pico, no repetitiva |
| I 2 t para fuso | I2 t | 167 | Um 2S | |
| dissipaço de energia porta de pico | PG (AV) | 5 | W | |
| dissipaço de energia porto média | PGM | 0,5 | W | |
| tenso da porta de pico | PG (AV) | 2 | W | |
| atual porta de pico | VGM | 10 | V | |
| temperatura da junço | IGM | - 40-125 | ° C | |
| Temperatura de armazenamento | Tj | - 40-125 | ° C | |
| Massa | Tstg | 2.9 | G | Valor típico |
| tenso de isolaço | Viso | 2000 | V | Ta = 25 ° C, AC 1 minuto, T1 · T2 terminal · G para caso |
600 tipo isolado do poder médio do soquete BCR20KM-12L do transistor do Pin de V 3
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