Oferta do estoque do transistor de efeito de campo do MOS do transistor 2SK3797 do Pin de IC 3

Número de modelo:2SK3797
Lugar de origem:Malásia
Quantidade de ordem mínima:10
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:2500
Tempo de entrega:Oferta conservada em estoque
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Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Oferta do estoque do transistor de efeito de campo do MOS do transistor 2SK3797 do Pin de IC 3

 

 

 

tipo do MOS do N-Canal do silicone do transistor de efeito de campo 2SK3797  

 

Aplicações do regulador de interruptor

• Baixa dreno-fonte na resistência: RDS (SOBRE) = 0.32Ω (tipo.)

• Admisso de transferência dianteira alta: |Yfs| = 7,5 S (tipo.)

• Baixa corrente do escapamento: IDSS = μA 100 (VDS = 600 V)

• Modelo do realce: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, identificações = 1 miliampère)

 

Avaliações máximas (Ta = 25°C)

 

CaracterísticoSímboloAvaliaçoUnidade
tenso da Dreno-fonteVDSS600V
tenso da Dreno-porta (RGS = kΩ 20)VDGR600V
tenso da Porta-fonteVGSS±30V

Drene a C.C. atual

                                  Pulso (t = 1 Senhora)

Identificaço13A
IDP52
Drenam a dissipaço de poder (Tc = 25°C)Paládio50W
Única energia da avalancha do pulsoEAS1033mJ
Corrente da avalanchaAR13A
Energia repetitiva da avalanchaORELHA5,0mJ
Temperatura do canalTch150°C
Variaço da temperatura do armazenamentoTstg-50-150    °C

 

Características térmicas

CaracterísticoSímboloMáximoUnidade
Resistência térmica, canal ao casoRth (ch-c)2,5w/ °C
Resistência térmica, canal a abinentRth (ch-um)62,5w/ °C

 

Nota 1: Assegure-se de que a temperatura do canal no exceda 150°C durante o uso do dispositivo.

Nota 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (inicial), L = 10,7 mH, IAR = 13 A, RG = Ω 25

Nota 3: Avaliaço repetitiva: a largura de pulso limitou pela temperatura que máxima do canal este transistor é um dispositivo eletrostático-sensível. Punho com cuidado.

 

 

 

 

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Oferta do estoque do transistor de efeito de campo do MOS do transistor 2SK3797 do Pin de IC 3

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