Ponte da capacidade H de SOA do curto-circuito do módulo de poder do Mosfet de Superjunction

Número de modelo:MWI50-12E7
Lugar de origem:México
Quantidade de ordem mínima:3pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:350pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Ponte da capacidade H de SOA do curto-circuito do módulo de poder do Mosfet de Superjunction

 

 

Módulos Sixpack de IGBT, ponte de H

 

Símbolo Circunstncias Avaliações máximas
VCESTVJ = 25°C a 150°C1200 V
VGES ± 20 V

MIMC25

MIMC80

TC = 25°C

TC = 80°C

90

62

A

A

MIMCM

VCEK

VGE = ±15 V; RG = Ω 22; TVJ = 125°C

RBSOA; carga indutiva apertada; L = µH 100

100

VCES

A
SC de t

VCE = 900 V; VGE = ±15 V; RG = Ω 22; TVJ = 125°C

SCSOA; no-repetitivo

10µs

 

 

Características

• NPT3 IGBTs

- baixa tenso de saturaço

- coeficiente de temperatura positivo para a paralelizaço fácil

- interruptor rápido - corrente curto da cauda para o desempenho aperfeiçoado

igualmente em circuitos ressonantes

 

• Diodo de HiPerFREDTM:

- recuperaço reversa rápida

- tenso dianteira do baixo funcionamento

- baixa corrente do escapamento

 

• Pacote do padro do setor

- pinos solderable para a montagem do PWB

- placa baixa de cobre isolada

- UL registrado, E 72873

 

 

Aplicações típicas

• MWI - Movimentações da C.A.

- fontes de alimentaço com correço de fator de poder

 

• MKI

- controlo do motor. Enrolamento amador do motor da C.C. Enrolamento da excitaço do motor da C.C. enrolamento da excitaço do motor síncrono

 

- fonte do enrolamento preliminar do transformador. fontes de alimentaço. solda. Raio X. carregador de bateria

 

 

 

 

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