Semicondutor de Mosfet complementar MJ15025G dos transistor de poder do silicone

Semicondutor de Mosfet complementar MJ15025G dos transistor de poder do silicone

− MJ15023 DE PNP, MJ15025*

Transistor de poder do silicone

  Os MJ15023 e os MJ15025 so transistor de poder de PowerBase projetados para o áudio do poder superior, os positioners principais do disco e outras aplicações lineares.

Características

• Área de funcionamento seguro alta (100% testado) −2 A @ 80 V

• HFE alto do − do ganho atual de C.C. = 15 (minuto) @ IC = 8 CAD

• Os pacotes de Pb−Free so Available*

MJ1502x = código de dispositivo

x = 3 ou 5

G = pacote de Pb−Free

A = lugar do conjunto

Y = ano

WW = semana do trabalho

MEX = país de origem

            INFORMAÇO PEDINDO

   Há duas limitações na capacidade powerhandling de um transistor: temperatura de junço média e segunda diviso. As curvas da área de funcionamento seguro indicam limites do − VCE de IC do transistor que deve ser observado para a operaço segura; isto é, o transistor no deve ser sujeitado maior dissipaço do que as curvas indicam.

  Os dados de figura 1 so baseados em TJ (PK) = 200C; O TC é variável segundo circunstncias. Em altas temperaturas do caso, as limitações térmicas reduziro o poder que pode ser segurado aos valores menos do que as limitações impor pela segunda diviso.

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

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