Transistor do Mosfet do poder de HEXFET, módulo IRF7329 do mosfet do poder

Número de modelo:IRF7329
Lugar de origem:Tailândia
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:290pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

HEXFET MOSFET Transistor, poder MOSFET módulo IRF7329


Tecnologia Trench


Ultra Low On-Resistência


P-Dual Channel MOSFET

Low Profile (<1,8 milímetros)


Disponível em Tape & Reel

Chumbo


Descriço


Novas MOSFETs de potência P-Channel HEXFET® de International Rectifier utilizar técnicas avançadas de processamento para alcançar extremamente baixo on-resistência por área de silício. Esta vantagem, combinada com a concepço do dispositivo robusto que MOSFETs HEXFET de alimentaço so bem conhecidos, fornece o designer com um dispositivo extremamente eficaz e fiável para utilizaço numa ampla variedade de aplicações. O SO-8 foi modificado através de um leadframe personalizado para características térmicas melhoradas e capacidade de múltipla-die tornando-o ideal em uma variedade de aplicações de energia. Com estas melhorias, vários dispositivos pode ser utilizado numa aplicaço com o espaço da placa drasticamente reduzida. O pacote é projetado para fase de vapor, infravermelho, ou técnica onda de solda


ParmetroMax.Unidades
VDSDrenagem Tenso Fonte-12V
I D @ Ta = 25 ° CContínua Corrente de dreno, VGS @ -4.5V-9.2UMA
I D @ Ta = 70 ° CContínua Corrente de dreno, VGS @ -4.5V -7.4-7.4
I DMPulsada Corrente de dreno-37
P D @TA = 25 ° CDissipaço de energia2.0W
P D @TA = 70 ° CDissipaço de energia1.3
Fator de reduço linear16mW / ° C
V GSPorta-a-Fonte de tenso± 8,0V
T J, T STGJunction e Armazenamento Temperatura Gama-55 A + 150° C
China Transistor do Mosfet do poder de HEXFET, módulo IRF7329 do mosfet do poder supplier

Transistor do Mosfet do poder de HEXFET, módulo IRF7329 do mosfet do poder

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