Mosfet complementar plástico do poder de Darlington, transistor de poder 2N6038 do silicone

Número de modelo:2N6038

Lugar de origem:Fábrica original

Quantidade de ordem mínima:20

Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte:10000

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Anterwell Technology Ltd.

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Shenzhen Guangdong China

Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China

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Mosfet complementar plástico do poder de Darlington, transistor de poder 2N6038 do silicone

Os transistor de poder complementares plásticos do silicone de Darlington so projetados para o amplificador de uso geral e aplicações de comutaço low−speed.

• Ganho atual alto de C.C. — ^hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 CAD

• Tenso de sustentaço do Coletor-emissor — @ mAdc 100

V_CEO(sus) = 60 VDC (minuto) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC

(Minuto) — 2N6036, 2N6039

• Capacidade atual polarizada da segunda diviso mim_S/b = 1,5 CAD @ 25 VDC

• Construço monolítica com os resistores incorporados do emissor de base multiplicaço de LimitELeakage

• Pacote alto do plástico da relaço TO-225AA do Desempenho--custo da Espaço-economia

**AVALIAÇÕES MÁXIMAS**
Avaliaço	Símbolo	Valor	Unidade
Tenso 2N6034 de Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039	V_CEO	40 60 80	VDC
Tenso 2N6034 de Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039	V_CBO	40 60 80	VDC
Tenso de Emitter−Base	V_EBO	5,0	VDC
Corrente de coletor contínua Pico	MIM_C	4,0 8,0	CAD Apk
Corrente baixa	MIM_B	100	mAdc
Dissipaço total do dispositivo @ TC = 25°C Derate acima de 25°C	P_D	40 320	W mW/°C
Dissipaço total do dispositivo @ TC = 25°C Derate acima de 25°C	P_D	1,5 12	W mW/°C
Funcionamento e variaço da temperatura da junço do armazenamento	T_J, _stgde T	– 65 a +150	°C

**CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS**
Característico	Símbolo	Máximo	Unidade
Resistência térmica, Junction−to−Case	R_JC	3,12	°C/W
Resistência térmica, Junction−to−Ambient	R_JA	83,3	°C/W

Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas so avaliações do esforço somente. A operaço funcional acima das condições operacionais recomendadas no é implicada. A exposiço prolongada aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo.

**CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS** (TC = 25C salvo disposiço em contrário)
Característico	Símbolo	Minuto	Máximo	Unidade
FORA DAS CARACTERÍSTICAS
Tenso de sustentaço de Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039	V_CEO(sus)	40 60 80	-- -- --	VDC
Corrente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039	MIM_CEO	-- -- --	100 100 100	A
Corrente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039	MIM_CEX	-- -- -- -- -- --	100 100 100 500 500 500	A
Corrente de Collector−Cutoff (VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039	MIM_CBO	-- -- --	0,5 0,5 0,5	mAdc
Corrente de Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VDC, IC = 0)	MIM_EBO	--	2,0	mAdc
EM CARACTERÍSTICAS
Ganho atual de C.C. (IC = 0,5 CAD, VCE = 3,0 VDC) (IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) (IC = 4,0 CAD, VCE = 3,0 VDC)	^hFE	500 750 100	-- 15.000 --	--
Tenso de saturaço de Collector−Emitter (IC = 2,0 CAD, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40)	V_CE(sentado)	-- --	2,0 3,0	VDC
Tenso de saturaço de Base−Emitter (IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40)	V_{SEJA(sentado)}	--	4,0	VDC
Base−Emitter na tenso (IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC)	V_SEJA(sobre)	--	2,8	VDC
CARACTERÍSTICAS DINMICAS
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 CAD, VCE = 10 VDC, f = 1,0 megahertz)	\|_fede h\|	25	--	--
Capacidade de saída (VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 megahertz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039	_Obde C	-- --	200 100	PF

Dados registrados JEDEC dos *Indicates.

Perfil da empresa

Anterwell era construço em 2004, naquele tempo nós apenas uma pequena empresa como uma semente.

Por nossos grande esforço, melhor serviço, melhor qualidade e melhor preço. Anterwell era construço em 2004, naquele tempo nós apenas uma pequena empresa como uma semente. Por nossos grande esforço, melhor serviço, melhor qualidade e melhor preço. Anterwell transforma-se uma árvore grande. Agora nós temos a equipe muito excelente e o grande estoque.

Anterwell é especializado em Componentswhich eletrônico é ficado situado no centro o maior da eletrônica no asiático---HuaQiang norte, cidade P.R. de Shenzhen. Sobre diversos anos, a empresa cresceu e progrediu. Tem sido agora um distribuidor famoso nos componentes eletrônicos.
Anterwell era famoso como um do mais stockiest as maiores em China. Tem possuído agora uma vasta gama de tipos em 17 categorias com 10 especificações que so vendidas a no exterior e domésticas. Os clientes tecnologia Ltd. de Anterwell so o fabricante que produzindo o portátil, o MP4, anunciando o jogador, o quadro da foto de Digitas, a cmara digital, o DVD, o DVB, o PMP, o ADSL etc.
Presentemente, tecnologia Ltd. de Anterwell é no somente um dos distribuidores principais de componentes de Electroncs em China, mas igualmente principalmente um exportador de Capacitosr e resistores.
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A honestidade, a fidelidade, tornando-se junto e o benefício mútuo so nosso princípio de controlo!

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